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J-GLOBAL ID：201802220654755246   整理番号：18A0969170

新しいSi-O-C原子間ポテンシャルを用いた(0001)Si面と(0001)c面の間の4H-SiCの異方性酸化速度の原子スケール機構の解明【JST・京大機械翻訳】

Elucidation of the atomic-scale mechanism of the anisotropic oxidation rate of 4H-SiC between the (0001) Si-face and (0001) C-face by using a new Si-O-C interatomic potential

著者 (6件)： Takamoto So (Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Yamasaki Takahiro (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Ohno Takahisa (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Kaneta Chioko (Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Hatano Asuka (Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Izumi Satoshi (Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 18  ページ： 185303-185303-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)はパワーエレクトロニクスデバイスへの応用のための魅力的な半導体材料である。しかし,高品質SiC/SiO_2界面の作製が課題であった。Si面とC面の間の酸化速度に大きな差があり,Si面上の酸化物の品質はC面上のそれよりも大きいことは良く知られている。しかし,SiCの熱酸化の原子論的機構は解明されていない。本論文では,SiCの熱酸化の速度論を再現するために,新しいSi-O-C原子間ポテンシャルを開発した。この新しく開発したポテンシャルを用いて,種々の温度での大規模SiC酸化シミュレーションを行った。結果は,Si面の活性化エネルギーがC面のそれよりはるかに大きいことを示した。Si面の場合,Si1+を含む平坦で整列した界面構造が形成された。中間酸化物状態の推定活性化エネルギーに基づいて,平坦界面構造の安定性がSi面の酸化の高活性化エネルギーの起源であることを提案した。対照的に,C面の場合,界面におけるSi原子はO原子により容易に引き込まれることが分かった。この過程は無秩序界面を発生させ,酸化の活性化エネルギーを減少させる。多くの過剰C原子がC面の場合に形成されることも提案した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  界面 ,  炭化ケイ素 ,  *原子間ポテンシャル ,  *酸化 ,  半導体材料 ,  シミュレーション ,  酸化物 ,  品質 ,  *異方性 ,  *ケイ素 ,  熱酸化
準シソーラス用語： 界面構造 ,  *酸化速度 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  原子間ポテンシャル ,  4H-SiC ,  異方性 ,  酸化速度 ,  原子スケール