文献

J-GLOBAL ID：201802221910015184   整理番号：18A1334277

シリセン線欠陥におけるカイラル濾過誘起スピン/バレー分極

Chiral filtration-induced spin/valley polarization in silicene line defects

著者 (8件)： REN Chongdan (Zunyi Normal Coll., Zunyi, CHN) ,  ZHOU Benhu (Shaoyang Univ., Shaoyang, CHN) ,  SUN Minglei (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  SUN Minglei (A*STAR, Singapore, SGP) ,  WANG Sake (Jinling Inst. of Technol., Nanjing, CHN) ,  LI Yunfang (Linyi Univ., Linyi, CHN) ,  TIAN Hongyu (Linyi Univ., Linyi, CHN) ,  LU Weitao (Linyi Univ., Linyi, CHN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 6  ページ： 063006.1-063006.4  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 拡張線欠陥を持つシリセンのスピン/バレー分極をカイラル濾過機構に従って調べた。同一のキラリティをもつ内部構築量子Hall擬エッジ状態は弱い磁場をもつカイラルフィルタとして役立ち,透過過程は逆/同一キラリティをもつカイラル状態に対して抑制/強化されることを示した。自然カイラル濾過として作用する二つの平行線欠陥により,フィルタ効果は大きく増強され,100%スピン/バレー分極を達成できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *格子欠陥 ,  *スピン分極 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： *シリセン ,  *線欠陥 ,  カイラル性 ,  拡張欠陥 ,  キラリティ ,  量子Hall状態 ,  エッジ状態 ,  *バレー分極

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

引用文献 (42件)：

• C. Chappert, A. Fert, and F. N. Van Dau, Nat. Mater. 6, 813 (2007).
• A. Fert, Rev. Mod. Phys. 80, 1517 (2008).
• A. Rycerz, J. Tworzydło, and C. W. J. Beenakker, Nat. Phys. 3, 172 (2007).
• D. Xiao, W. Yao, and Q. Niu, Phys. Rev. Lett. 99, 236809 (2007).
• C.-C. Liu, W. Feng, and Y. Yao, Phys. Rev. Lett. 107, 076802 (2011).

タイトルに関連する用語 (7件)： シリセン ,  線欠陥 ,  カイラル ,  濾過 ,  誘起 ,  スピン ,  バレー分極