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J-GLOBAL ID：201802222561408714   整理番号：18A1860000

電気ストレスによるMOSFETにおける閾値電圧劣化のプロファイル推定法【JST・京大機械翻訳】

Method to estimate profile of threshold voltage degradation in MOSFETs due to electrical stress

著者 (4件)： Yun Yeohyeok (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Gyeongbuk 790-784, Republic of Korea) ,  Seo Ji-Hoon (Memory Division, Samsung Electronics, Hwasung, Gyeonggi 445-701, Republic of Korea) ,  Son Donghee (Memory Division, Samsung Electronics, Hwasung, Gyeonggi 445-701, Republic of Korea) ,  Kang Bongkoo (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Gyeongbuk 790-784, Republic of Korea)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 88-90  ページ： 186-190  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,MOSFETにおける電気ストレスによるチャネル方向に沿った閾値電圧劣化ΔV_thを測定する方法を提示した。この方法は異なるドレインバイアスV_dで電気ストレス後に測定されたΔV_thを使用し,ΔV_thが測定される各条件に対するチャネルへの空乏長L_depを計算した。ΔV_thとL_depを提案した方程式に置換することによって,MOSFETチャネルの各領域で発生する劣化の量を計算することができた。提案した方法を用いて,pMOSFETにおけるオフ状態応力と負のバイアス温度不安定性のΔV_thプロファイルとnMOSFETにおけるホットキャリア注入を抽出した。分解プロファイルは各応力特性と良く対応した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ホットキャリア ,  *MOSFET ,  チャネル
準シソーラス用語： nMOSFET ,  バイアス温度不安定性 ,  オフ状態 ,  pMOSFET ,  推定法 ,  *閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 閾値電圧劣化 ,  MOSFET ,  電気ストレス ,  劣化の分布

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ストレス ,  MOSFET ,  閾値電圧 ,  プロファイル ,  推定法