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J-GLOBAL ID：201802222620275380   整理番号：18A0969072

ワイドバンドギャップGaNとAlGaNにおける固有無放射再結合中心の起源と性質【JST・京大機械翻訳】

The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN

著者 (9件)： Chichibu S. F. (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Uedono A. (Division of Applied Physics, Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba 305-8573, Japan) ,  Kojima K. (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Ikeda H. (LED Materials Department, Mitsubishi Chemical Corporation, Ushiku, Tsukuba 300-1295, Japan) ,  Fujito K. (LED Materials Department, Mitsubishi Chemical Corporation, Ushiku, Tsukuba 300-1295, Japan) ,  Takashima S. (Advanced Technology Laboratory, Fuji Electric Co., Ltd., Hino, Tokyo 191-8502, Japan) ,  Edo M. (Advanced Technology Laboratory, Fuji Electric Co., Ltd., Hino, Tokyo 191-8502, Japan) ,  Ueno K. (Advanced Technology Laboratory, Fuji Electric Co., Ltd., Hino, Tokyo 191-8502, Japan) ,  Ishibashi S. (Research Center for Computational Design of Advanced Functional Materials, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 16  ページ： 161413-161413-13  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の品質のGaN試料における近バンド端発光の無放射寿命(τ_NR)を陽電子消滅測定の結果と比較し,主要な固有の無放射再結合中心(NRC)の捕獲断面積を決定した。種々のn型GaN試料の室温τ_NRはGa空格子点(V_Ga)とN空孔(V_N),すなわちV_GAV_Nから成る二空格子点の濃度の減少とともに増加した。τ_NR値も陽電子の拡散長の増加と共に増加し,これは全ての点欠陥の総濃度の逆第三根にほぼ比例した。結果は,n型GaNにおける主要な固有のNRCがV_GAV_Nであることを示した。その濃度とτ_NRの間の関係から,その正孔捕獲断面積は約7×10~14cm2であると推定される。4H-SiCの場合とは異なり,p型とn型GaNの主要なNRCは異なる:Mgドープp型GaNエピ層の主要なNRCはV_Gaと2つの(または3)V_Ns,すなわちV_Ga(V_N)_n(n=2または3)を含む多重空孔に帰属される。イオン注入MgドープGaN膜は(V_Ga)_3(V_N)_3のような大きなサイズの空孔錯体を含むことが分かった。GaNと類似して,Al_0.6Ga_0.4N合金における主要なNRCは,Al空格子点またはV_Gaを含む空格子点複合体に割り当てられる。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： マグネシウム ,  ドーピング ,  陽電子消滅 ,  *窒化ガリウム ,  放射寿命 ,  イオン注入 ,  *アルミニウム ,  点欠陥 ,  正孔 ,  陽電子 ,  拡散距離 ,  複合体
準シソーラス用語： 捕獲断面積 ,  バンド端発光 ,  *放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： ワイドバンドギャップ ,  GaN ,  AlGaN ,  固有 ,  起源 ,  性質