Chichibu S. F. について
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan について
Uedono A. について
Division of Applied Physics, Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba 305-8573, Japan について
Kojima K. について
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan について
Ikeda H. について
LED Materials Department, Mitsubishi Chemical Corporation, Ushiku, Tsukuba 300-1295, Japan について
Fujito K. について
LED Materials Department, Mitsubishi Chemical Corporation, Ushiku, Tsukuba 300-1295, Japan について
Takashima S. について
Advanced Technology Laboratory, Fuji Electric Co., Ltd., Hino, Tokyo 191-8502, Japan について
Advanced Technology Laboratory, Fuji Electric Co., Ltd., Hino, Tokyo 191-8502, Japan について
Ueno K. について
Advanced Technology Laboratory, Fuji Electric Co., Ltd., Hino, Tokyo 191-8502, Japan について
Ishibashi S. について
Research Center for Computational Design of Advanced Functional Materials, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan について
Journal of Applied Physics について
マグネシウム について
ドーピング について
陽電子消滅 について
窒化ガリウム について
放射寿命 について
イオン注入 について
アルミニウム について
点欠陥 について
正孔 について
陽電子 について
拡散距離 について
複合体 について
捕獲断面積 について
バンド端発光 について
放射再結合 について
半導体の格子欠陥 について
ワイドバンドギャップ について
GaN について
AlGaN について
固有 について
起源 について
性質 について