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J-GLOBAL ID：201802224960311678   整理番号：18A1490533

島におけるナノスケールの成長に及ぼす異方性Si(111)-(4×1)-In表面の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of anisotropic Si(111)-(4 × 1)-In surface on growth of nanoscale In islands

著者 (2件)： Chandola Sandhya (Leibniz-Institut fuer Analytische Wissenschaften-ISAS-e.V., Schwarzschildstrasse 8, 12489 Berlin, Germany) ,  Esser Norbert (Leibniz-Institut fuer Analytische Wissenschaften-ISAS-e.V., Schwarzschildstrasse 8, 12489 Berlin, Germany)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 36  号： 4  ページ： 04H103-04H103-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温での異方性Si(111)-(4×1)-In表面上のインジウム(In)の成長を調べるために,反射異方性分光法(RAS)と走査トンネル顕微鏡(STM)を用いた。RASは,Inのエピタキシャル成長が,(4×1)-In表面再構成の指紋である1.9eVでの表面光学異方性の消失と,バルク結晶Inで観測されたバンド間遷移と同じエネルギーの1.4eVでの大きな極小の出現を伴うことを示した。3時間にわたる表面でのその後のスペクトルから,この最小値は減少し,最終的には(4×1)-In表面の元のRAS信号の再出現と共に消失することが分かった。この表面のSTMは,(4×1)-In再構成表面上に伸びた異方性In結晶島を示した。表面を720Kにアニーリングすると,表面再構成はSTMにより変化し,(√7×√3)-In再構成に似た相で覆われた領域と約1.5eVで大きな正の異方性を示すRASを示した。エピタキシャルIn島は,(4×1)表面と異なり,六方晶形状を示した。従って,島の成長形態は初期表面再構成に依存することを示した。これらの知見を,Si基板上の構造的に異なるIn濡れ層に依存する拡散により媒介されるIn島のOstwald成長に帰着した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *異方性 ,  六方晶系 ,  結晶 ,  焼なまし ,  形態 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  エピタクシー ,  再構成 ,  表面再構成 ,  スペクトル ,  指紋 ,  *インジウム ,  Ostwald成長
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 島 ,  ナノスケール ,  成長 ,  異方性 ,  Si