文献

J-GLOBAL ID：201802225745788865   整理番号：18A1008591

イオナイザを活用した生産現場の静電気対策に関する研究

著者 (4件)： 佐藤崇志 (職業能力開発総合大) ,  高橋宏治 (職業能力開発総合大) ,  古井英則 (職業能力開発総合大) ,  池畑隆 (茨城大 大学院理工学研究科)
資料名： 職業能力開発研究誌  (Transactions of JASVET)
巻： 33  ページ： 42-48  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： L3987A  ISSN： 2188-7381  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・電子デバイスの高集積化とプリント板実装時における電子デバイス配置の高密度化は不可欠であり,静電気に基づく障害による製造歩留まりの低下を避けるために,さらなる静電気対策が必要。
・イオナイザを用いた静電気対策の指針を決めるため,理想的な単極帯電時と実践的な複数電極の帯電時における除電特性の比較を行い,除電における最適なイオナイザの動作条件を検討。
・イオナイザによるプリント基板の除電時間は,同一動作条件時の場合,米国EOS/ESD(過電圧・過電流ストレス/静電気放電)で定められた評価装置(CPM)の結果より大きく遅延。
・一般的な評価法であるCPMを用いた除電特性のみでイオナイザ動作条件を決定するより,製品に模した帯電モデルを用いた除電特性を用いることが必要。

シソーラス用語： *歩留り ,  放電 ,  *装置 ,  現場 ,  *除去 ,  固体素子 ,  緻密化
準シソーラス用語： ESD【放電】 ,  *イオナイザ ,  高密度化 ,  生産現場 ,  *生産歩留り ,  *静電気除去 ,  電子デバイス

分類 (3件)： 静電機器  (NB10020R) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  プリント回路  (NA05040O)

引用文献 (14件)：

• 小田俊理:「21世紀の単電子デバイス」,電気学会論文誌C, Vol.121-C, No.1,pp.19-22(2001).
• S.Monfray, S.Cristoloveanu, T.Skotnicki : ′′Silicon-on-Nothing MOSFETs : Performance , Short-Channel Effects , and Backgate Coupling′′, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL.51, NO.2, pp.240-245 (2004).
• M.Ono, T.Ishihara, A.Nishiyama : ′′Influence of Dielectric Constant Distribution in Gate Dielectrics on the Degradation of Electron Mobility by Remote Coulomb Scattering in Inversion Layers′′, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL.51, NO.5, pp.736-740 (2004).
• 阪田総一郎,岡田孝夫:「静電気による微粒子の付着」,空気洗浄,27,6,pp.406-415(1990).
• 辻幹夫:「LSI製造における静電気問題と対策」,静電気学会誌,Vol.19, No.1,pp.28-34(1995).

タイトルに関連する用語 (6件)： イオナイザ ,  活用 ,  現場 ,  静電気 ,  対策 ,  研究