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J-GLOBAL ID：201802225859775421   整理番号：18A1208780

光学バンドギャップを持つ新しい2D半導体へのアクセス LPCVDによる鉄挿入二セレン化チタン薄膜の合成【JST・京大機械翻訳】

Accessing new 2D semiconductors with optical band gap: synthesis of iron-intercalated titanium diselenide thin films via LPCVD

著者 (7件)： Sanchez-Perez Clara (University College London, Department of Chemistry, 20 Gordon St, London, WC1H 0AJ, UK. [e-mail]) ,  Knapp Caroline E. ,  Colman Ross H. ,  Sotelo-Vazquez Carlos ,  Oilunkaniemi Raija ,  Laitinen Risto S. ,  Carmalt Claire J.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 8  号： 40  ページ： 22552-22558  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一源前駆体の低圧化学蒸着(LPCVD)によりFeドープTiSe_2薄膜を合成した。[Fe(η5-C_5H_4Se)_2Ti(η5-C_5H_5)_2]_2(1)。試料を1000°Cで1~18時間加熱し,2つの異なるプロトコルに従って室温に冷却し,異なる相の形成を促進した。得られた膜を,すれすれ入射X線回折(GIXRD),X線光電子分光法(XPS),走査電子顕微鏡(SEM)およびUV/vis分光法によって分析した。LPCVD堆積中にその場生成したFe_xTiSe_2粉末の平行熱分解研究からのFeドーピング限界の研究は,Fe-TiSe_2-Fe層幅の増加がFe-TiSe_2-Fe層幅の増加を示した。粉体をRietveld精密化とXPSを含む粉末X線回折(PXRD)を用いて分析した。半導体薄膜のUV/vis測定は,0.1eV(TiSe_2)から1.46eV(Fe_0.46TiSe_2)への鉄ドーピングによるバンドギャップのシフトを示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  精密化 ,  熱分解 ,  半導体薄膜 ,  *光学ギャップ ,  *薄膜 ,  ドーピング ,  前駆体 ,  *鉄 ,  X線光電子スペクトル ,  *バンドギャップ ,  X線光電子分光法 ,  *半導体 ,  粉体
準シソーラス用語： 粉末X線回折 ,  すれすれ入射X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光学バンドギャップ ,  2D ,  アクセス ,  LPCVD ,  鉄 ,  セレン化 ,  チタン薄膜