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J-GLOBAL ID:201802226269991867   整理番号:18A0994938

窒化ホウ素結晶多形の高圧合成と不純物制御による新たな機能探索

High-Pressure Synthesis of Polymorphic form of Boron Nitride Crystals and Their Impurity Control
著者 (1件):
資料名:
巻: 67  号:ページ: 508-513(J-STAGE)  発行年: 2018年 
JST資料番号: F0385A  ISSN: 0514-5163  CODEN: ZARYA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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・六方晶窒化ホウ素BN(hBN)と立方晶BN(cBN)はBNの代表的結晶構造として知られている。前者は化学的及び熱的に安定で,電気絶縁体及び耐熱材料として広く使用されている。後者は高密度相で,ダイヤモンドに次ぐ超硬材料である。これらに加えて,ウルツ鉱BN(wBN)も他の多形相として知られている。しかし,結晶成長法は熱力学的に準安定な性質のためにwBNに適用できないので,バルク結晶形を持つwBNの基本的性質はこれまであまり研究されていない。これらのBN結晶の中で,高純度BN結晶の合成におけるいくつかの進歩が,5.5GPaの高圧(HP)での成長溶媒材料としてBa-BNを用いることによって達成された。バンド端の性質(cBN Eg=6.2eVとhBN Eg=6.4eV)をそれらの光学的性質によって特性化した。高純度結晶を得るための重要な課題は,HP成長環境における酸素と炭素の汚染を低減することである。次に,深紫外(DUV)発光体としてのhBNの魅力的な可能性とグラフェン素子の基板としての優れた特性を実現した。出発材料として高純度hBN結晶を用いることにより,高純度cBN焼結体と高配向wBN結晶形が高圧相変態プロセスにより得られた。本論文では,不純物制御に関して高圧で得られたBN多形相とそれらの機能に関する最近の研究について報告する。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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セラミック・磁器の性質  ,  半導体の結晶成長 
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