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J-GLOBAL ID：201802226340639004   整理番号：18A0481217

グラフェン状III-窒化物半導体のバンドアラインメント【Powered by NICT】

Band alignments of graphene-like III-nitride semiconductors

著者 (1件)： Ota Yuichi (Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute, 2-4-10 Aomi, Koto-ku, Tokyo, 135-0064, Japan)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 270  ページ： 147-150  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン様III族窒化物半導体におけるバンドアラインメントを,第一原理計算と実験式を用いて調べた。バンドギャップ中心(BGC)と電子親和力則のエネルギーに基づく二つの簡単なアプローチを用いてバンド端位置を推定した。真空準位と相対的なエネルギー位置はBGCとMulliken電気陰性度から決定した。これらの方法は,バンドラインアップに類似の傾向を示した。第一原理計算により決定した価電子帯と伝導帯オフセットは0.5時間以内にeVに実験結果と一致した。所見を第一原理と経験的方法はハイスループット素子設計のための有用な指針を提供することを示唆する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 実験式 ,  価電子バンド ,  電気陰性度 ,  バンドギャップ ,  *半導体 ,  第一原理 ,  電子親和力 ,  オフセット ,  *グラフェン ,  伝導バンド
準シソーラス用語： 素子設計 ,  バンド端 ,  第一原理計算 ,  *バンドアライメント ,  *窒化物半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： DFT計算 ,  バンドアラインメント ,  層状材料 ,  半導体

分類 (2件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  窒化物半導体 ,  バンドアラインメント