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J-GLOBAL ID：201802226480131378   整理番号：18A1773692

(001)および(111)-エピタキシャル(K_0.5Na_0.5)NbO_3膜における印加電場による分域スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Domain Switching by Applied Electric Field in (001) and (111)-epitaxial (K_0.5Na_0.5)NbO₃Films

著者 (7件)： Kawano M. (Department of Energy Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Yamada T. (PRESTO, Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi, 332-0012, Japan) ,  Matsuo S. (Department of Energy Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Yoshino M. (Department of Energy Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Nagasaki T. (Department of Energy Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Sakata O. (Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and Synchrotron X-ray Group, National Institute for Materials Science, Sayo, 679-5148, Japan) ,  Imai Y. (Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Sayo, 679-5198, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IFAAP  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (K_1-xNa_x)NbO_3(KNN)は特に無鉛圧電材料として注目されている。KNNはx=0.5でモルフォトロピック相境界(MPB)を有し,高い圧電特性を示すことが知られている。しかし,KNNのドメイン構造が印加電場によってどのように変化するかは完全には明らかにされていない。本研究では,シンクロトロンX線回折によりKNN膜の電場誘起歪と分域分率変化を観測した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *スイッチング ,  *電場 ,  *分域 ,  相境界
準シソーラス用語： 圧電特性 ,  *印加電圧 ,  ドメイン構造 ,  放射光X線回折 ,  鉛フリー圧電材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  印加 ,  電場 ,  分域 ,  スイッチング