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J-GLOBAL ID：201802226522708899   整理番号：18A1261016

プラズマ支援研磨による単結晶ダイヤモンドウエハの無損傷高効率研磨【JST・京大機械翻訳】

Damage-free highly efficient polishing of single-crystal diamond wafer by plasma-assisted polishing

著者 (9件)： Yamamura K. (Division of Precision Science & Technology and Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, Japan) ,  Yamamura K. (Research Center for Ultra-precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, Japan) ,  Emori K. (Division of Precision Science & Technology and Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, Japan) ,  Sun R. (Division of Precision Science & Technology and Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, Japan) ,  Ohkubo Y. (Research Center for Ultra-precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, Japan) ,  Endo K. (Research Center for Ultra-precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, Japan) ,  Yamada H. (Advanced Power Electronics Research Center, Department of Energy and Environment, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Japan) ,  Chayahara A. (Advanced Power Electronics Research Center, Department of Energy and Environment, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Japan) ,  Mokuno Y. (Advanced Power Electronics Research Center, Department of Energy and Environment, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Japan)
資料名： CIRP Annals. Manufacturing Technology  (CIRP Annals. Manufacturing Technology)
巻： 67  号： 1  ページ： 353-356  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0026A  ISSN： 0007-8506  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶ダイヤモンド(SCD)は次世代パワーデバイスの理想的な材料であると考えられている。研磨剤を使用しないプラズマ支援研磨(PAP)を,化学蒸着により作製したSCDを研磨するために適用した。研磨板とSCD(100)の表面を改質するためにPAPにアルゴンベースのプラズマを含む水蒸気を使用し,10~52.6kPaの範囲の研磨圧力下でSCDを研磨した。Raman分光測定は研磨したSCD表面上に残留応力がなく,研磨速度2.1μm/hと表面粗さ0.13nm Sqが得られることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 完全性 ,  *研磨 ,  研磨剤 ,  *単結晶 ,  残留応力 ,  化学蒸着 ,  *プラズマ ,  Raman分光法
準シソーラス用語： 研磨速度 ,  パワーデバイス ,  高効率 ,  *単結晶ダイアモンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 研磨 ,  単結晶 ,  表面完全性

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  研磨 ,  単結晶ダイヤモンド ,  ウエハ ,  損傷 ,  高効率