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J-GLOBAL ID:201802228061830850   整理番号:18A0118518

高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性-ホール係数の反転と伝導機構との関係-

Temperature Dependent Hall Coefficient in Heavily Al-Doped 4H-SiC-Relationship between Inversion of Hall Coefficient and Conduction Mechanism-
著者 (14件):
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巻: 117  号: 372(EID2017 11-29)  ページ: 9-12  発行年: 2017年12月15日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である。Al濃度が1.6×1019cm-3の6H-SiCにおいて,ホッピング伝導領域でホール係数が小さくなり,かつ符号が反転すると報告されている。しかし,Al濃度が2×1019cm-3以上の高濃度p+型4H-SiC試料では,バンド伝導領域ですでにホール係数が小さくなり,かつ符号が反転することがわかった。また,ホール電圧が反転する温度は高濃度試料ほど高温側に移動することがわかった。(著者抄録)
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