文献

J-GLOBAL ID：201802228597910714   整理番号：18A1488450

GaNベースの高電子移動度トランジスタのための洗練された分離技術【JST・京大機械翻訳】

Refined isolation techniques for GaN-based high electron mobility transistors

著者 (5件)： Sharma Niketa (Smart Sensor Area, CSIR - Central Electronics Engineering Research Institute, Pilani 333031, India) ,  Sharma Niketa (Department of Electronics and Communication Engineering, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur 302017, India) ,  Dhakad Sandeep Kumar (Smart Sensor Area, CSIR - Central Electronics Engineering Research Institute, Pilani 333031, India) ,  Periasamy C. (Department of Electronics and Communication Engineering, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur 302017, India) ,  Chaturvedi Nidhi (Smart Sensor Area, CSIR - Central Electronics Engineering Research Institute, Pilani 333031, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 87  ページ： 195-201  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Ar+/N+に基づくイオン注入とArベースの反応性イオンエッチング(RIE)技術をデバイス分離のために研究した。イオン注入法と3つのイオンエネルギー(20/35/65keV)と4エネルギー(20/35/65/160keV)のAr+とN+の分離に対する異なるイオン線量の比較を報告した。4エネルギーイオン注入の使用は,より良い分離を提供した。GaN HEMTのメサ分離のために,Arに基づく単一および二段階反応性イオンエッチングプロセスについても調べた。エッチング速度は,ArガスとBCl_3:Cl_2の組合せを直接混合した後に,著しく増加した(44.7%)。したがって,単一ステップエッチングにおけるAr添加は,二段階エッチング技術と比較して,より有益であることが証明された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  *窒化ガリウム ,  イオン注入 ,  HEMT ,  アルゴン ,  RIE【エッチング】
準シソーラス用語： アルゴンガス ,  エッチング速度 ,  GaN HEMT ,  イオン線量 ,  イオンエネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN-高電子移動度トランジスタ ,  デバイス間絶縁 ,  イオン注入 ,  反応性イオンエッチング ,  比接触抵抗

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  高電子移動度トランジスタ