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J-GLOBAL ID：201802229483067823   整理番号：18A0633568

YSZ基板上に作製したVO₂薄膜の金属-絶縁体転移現象の観測

著者 (6件)： 森田巧 (東京理大 理) ,  丹野友博 (東京理大 理) ,  箕原誠人 (高エネルギー加速器研究機構) ,  堀場弘司 (高エネルギー加速器研究機構) ,  組頭広志 (高エネルギー加速器研究機構) ,  樋口透 (東京理大 理)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.19p-P5-6  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  *金属-絶縁体転移 ,  *結晶構造 ,  *電気抵抗 ,  光電子スペクトル ,  原子価 ,  スパッタリング ,  *薄膜
準シソーラス用語： *二酸化バナジウム ,  *酸化物薄膜

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (7件)： YSZ ,  作製 ,  VO2 ,  薄膜 ,  金属-絶縁体転移 ,  現象 ,  観測