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J-GLOBAL ID：201802231782952538   整理番号：18A1330571

プラズマ損傷材料の電子構造変化の第一原理予測

First-principles predictions of electronic structure change in plasma-damaged materials

著者 (2件)： YOSHIKAWA Yuta (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ERIGUCHI Koji (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6S2  ページ： 06JD04.1-06JD04.6  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *照射損傷 ,  *窒化ケイ素 ,  *電子構造 ,  *計算 ,  格子欠陥 ,  バンド構造 ,  欠陥準位 ,  状態密度 ,  エネルギー準位 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： *プラズマ損傷 ,  *第一原理計算 ,  電子状態密度 ,  トラップ準位 ,  リーク電流

分類 (3件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (60件)：

• G. E. Moore, Electronics 38, 114 (1965).
• R. H. Dennard, F. H. Gaensslen, V. L. Rideout, E. Bassous, and A. R. LeBlanc, IEEE J. Solid-State Circuits 9, 256 (1974).
• G. E. Moore, IEDM Tech. Dig., 1975, p. 11.
• J. S. Kilby, IEEE Trans. Electron Devices 23, 648 (1976).
• S. M. Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology (Wiley, Hoboken, NJ, 2002) 2nd ed., Chap. 12.

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマ損傷 ,  電子構造 ,  第一原理 ,  予測