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J-GLOBAL ID：201802232523222118   整理番号：18A0994845

パルスレーザラマン散乱を用いることによるパッケージ上の複数LEDの接合温度を同時に測定するためのシステム開発

The Development of a System for Measuring the Junction Temperatures of Multiple LEDs on a Package Simultaneously by Using Pulsed-laser Raman Scattering

著者 (6件)： Horiuchi Makoto (Eco Solutions Company, Panasonic Corporation, 1048 Kadoma, Kadoma City) ,  Horiuchi Makoto (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University) ,  Yamagata Yukihiko (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University) ,  Tsutsumi Shin-ichi (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University) ,  Tomita Kentaro (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University) ,  Manabe Yoshio (National Institute of Technology, Tsuyama College)
資料名： Journal of Science and Technology in Lighting  (Journal of Science and Technology in Lighting)
巻： 41  ページ： 101-107(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： S0965A  ISSN： 2432-3225  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,パルスレーザRaman散乱技術を用いて,蛍光体のない青色LEDパッケージ上の直線に配置されたいくつかのLEDチップの接合温度を推定するための新しい方法と,リン-樹脂被覆青色LEDパッケージを詳述した。シート状の照射パターンを用いることにより,蛍光体のない青色LEDパッケージ上に直線的に設置されたいくつかのチップからのGaN-E_2-H Ramanスペクトルを同時に観測し,各チップの接合温度を,強いLED発光の存在にもかかわらず,動作中の各Ramanシフトにより推定した。さらに,蛍光体-樹脂被覆青色LEDからのGaN-E_2-H Raman信号を633nmレーザを用いて初めて観測し,樹脂中の蛍光体と光拡散物質からの負の影響を低減した。この技術は,青色LEDパッケージの接合温度の2Dマッピングのための遠隔および標準システムのための有用な方法であると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： パルスレーザ ,  *Raman散乱 ,  *発光ダイオード ,  *梱包 ,  *温度 ,  計測 ,  窒化ガリウム ,  重合体
準シソーラス用語： GaN ,  *LED ,  *パッケージ ,  樹脂 ,  青色LED ,  *接合温度 ,  測定

著者キーワード (10件)： GaN ,  LED ,  Raman分光法 ,  パルスレーザ ,  接合温度 ,  GaN ,  LED ,  Raman分光法 ,  パルスレーザ ,  接合温度

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  (BD07042H)

引用文献 (15件)：

• (1) Ahmad, I., Kasisomayajula, V., Song, D. Y., Tian, L., Berg, J. M. and Holtz, M.: Self-heating in a GaN based heterostructure field effect transistor: Ultraviolet and visible Raman measurements and simulations, J. Appl. Phys., 100-11, p. 113718 (2006).
• (2) Kuball, M., Pomeroy, J. W., Rajasingam, S., Sarua, A., Uren, M. J., Martin, T., Lell, A. and Härle, V.: High spatial resolution micro-Raman temperature measurements of nitride devices (FETs and light emitters), Phys. Status Solidi (a), 202-5, pp. 824-831 (2005).
• (3) Kuball, M., Riedel, G. J., Pomeroy, J. W., Sarua, A., Uren, M. J., Martin, T., Hilton, K. P., Maclean, J. O. and Wallis, D. J.: Time-resolved temperature measurement of AlGaN/GaN electronic devices using micro-Raman spectroscopy, IEEE Electron Device Lett., 28-2, pp. 86-89 (2007).
• (4) Liu, M. S., Bursill, L. A., Prawer, S., Nugent, K. W., Tong, Y. Z. and Zhang, G. Y.: Temperature dependence of Raman scattering in single crystal GaN films, Appl. Phys. Lett., 74-21, pp. 3125-3127 (1999).
• (5) Senawiratne, J., Li, Y., Zhu, M., Xia, Y., Zhao, W., Detchprohm, T., Chatterjee, A., Plawsky, J. L. and Wetzel, C.: Junction temperature measurements and thermal modeling of GaInN/GaN quantum well light-emitting diodes, J. Electron. Mater., 37-5, pp. 607-610 (2008).

タイトルに関連する用語 (6件)： パルスレーザ ,  ラマン散乱 ,  パッケージ ,  LED ,  接合温度 ,  開発