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J-GLOBAL ID：201802232698651254   整理番号：18A1860003

電気的に誘発された物理的損傷(EIPD)事例研究:電気的過剰ストレス(EOS)から製品欠陥まで【JST・京大機械翻訳】

Electrically induced physical damage (EIPD) cases study: From electrical overstress (EOS) to product defects

著者 (1件)： Wu Chunlei (Spirox Technology (Shanghai) Co., Ltd., Shanghai, 201203, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 88-90  ページ： 203-207  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いわゆるEOSケースと呼ばれる実際の故障根本原因を同定するために,2016年にJEDEC JEP174により新しい用語「電気的誘導物理損傷(EIPD)」が発表されており,実際の故障根本原因であるEOSまたは製品欠陥を明らかにするためにより多くの機会を放出した。本論文では,一般的なEIPD事例研究法を説明した。事例研究セクションにおいて,EOSは最初にEIPDシグネチャによる2つの事例のために誤りによって故障根本原因として扱われたが,更なる故障解析が実行された後に,製品欠陥は元のEIPD署名から同定された。したがって,2つの事例に関する故障メカニズムを明らかにし,EOSの代わりにいくつかの製品欠陥を最終的に故障根本原因として同定した。これらの2つの症例は,いわゆるEOS症例における製品欠陥を同定する方法を示すために,良い例であるべきである。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *事例研究 ,  故障 ,  故障解析
準シソーラス用語： 故障メカニズム ,  事例研究法 ,  根本原因 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： EIPD ,  EOS ,  製品欠陥

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 誘発 ,  物理 ,  損傷 ,  研究 ,  ストレス ,  EOS ,  製品欠陥