半導体デバイスの熱インピーダンス成分を測定するための変調法【Powered by NICT】

Smirnov V.I.; Smirnov V.I.; Sergeev V.A.; Sergeev V.A.; Gavrikov A.A.; Shorin A.M.

文献

J-GLOBAL ID：201802232930621149 整理番号：18A0126264

半導体デバイスの熱インピーダンス成分を測定するための変調法【Powered by NICT】

Modulation method for measuring thermal impedance components of semiconductor devices

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資料名：
巻： 80 ページ： 205-212 発行年： 2018年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

半導体デバイスとその実装の熱インピーダンスを測定するための変調法を述べた。ステップ電力によるテスト中のデバイスを加熱する必要とする標準法(JESD51 1標準)とは対照的に,変調法は加熱パワーは調和的に変調された使用した。,パルス長調和的に変化させて,加熱電流のパルス列は,テスト中のデバイスを通過する。p-n接合温度は温度感受性パラメータ,すなわち低測定電流で加熱パルス間のp-n接合に順方向電圧降下により測定される。p-n接合温度振動の最初の高調波は,離散Fourier変換,加熱パワーの変調周波数での熱インピーダンス絶対値と位相を決定することを可能にするによって決定される。変調周波数に及ぼす熱インピーダンスの依存性の解析は,試験中のデバイスの構造要素に対応する熱インピーダンス成分を決定することができる。数値シミュレーションはFosterネットワークの熱抵抗成分は周波数依存性の実部の熱インピーダンスの一次導関数の極小値に対応する変調周波数で決定されることを示した。法を実行する装置の主な特徴について述べた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , トランジスタ

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