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J-GLOBAL ID：201802233017805991   整理番号：18A1860115

田口法による衝撃荷重下のCMOS-MEMSマイクロホンの応力解析【JST・京大機械翻訳】

Stress analysis of CMOS-MEMS microphone under shock loading by Taguchi method

著者 (3件)： Lu C.L. (Department of Power Mechanical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan, ROC) ,  Ni P.R. (Department of Power Mechanical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan, ROC) ,  Yeh M.K. (Department of Power Mechanical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan, ROC)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 88-90  ページ： 824-828  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,衝撃荷重下のCMOS-MEMSマイクロホンの応力分布と破壊を有限要素法により調べた。結果は,スプリングのコーナ,スプリングと固定端部を結合するアンカーとスプリングとダイヤフラムの接続が,衝撃荷重に基づきMEMSマイクロホンのためにより高い応力を持つことを示した。4つのパラメータ,アンカーの幅,スプリングの幅,ダイヤフラムの半径およびダイヤフラムの厚さを,Taguchi法によるMEMSマイクロホンの応力解析において選択した。各パラメータは,より低い,中程度,およびより高いレベルを有する。アンカーのより高い幅,スプリングの幅,ダイヤフラムの厚さとダイヤフラムのより低い半径による事例は,より小さい応力を持って,35%は,本来の設計のそれより少なかった。アンカーの中間幅,スプリングの幅が低く,ダイヤフラムの高い半径とダイヤフラムの厚さを有するケースは,オリジナルの設計におけるものより7.3倍のマイクロホン容量感度を有した。落下試験実験を行い,JEDEC規格,JESD22-B111およびJESD22-B110Bに従ってシミュレーション結果を検証した。本研究で得られた結果は,MEMSマイクロホンの設計とロバスト性を改善するための有用な示唆を与えることができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 落下試験 ,  ダイヤフラム ,  *衝撃荷重 ,  有限要素法 ,  *マイクロホン ,  CMOS ,  応力分布 ,  ロバスト性 ,  *応力解析 ,  シミュレーション ,  *MEMS ,  規格
準シソーラス用語： 有限要素解析 ,  固定端 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CMOS-MEMSマイクロホン ,  衝撃荷重 ,  落下試験実験 ,  有限要素解析 ,  田口法

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 法 ,  衝撃荷重 ,  CMOS ,  MEMS ,  マイクロホン ,  応力解析