文献

J-GLOBAL ID：201802235572739065   整理番号：18A1334303

室温でのDCマグネトロンスパッタリングによるSi(111)上の単結晶AlN層のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of single-crystalline AlN layer on Si(111) by DC magnetron sputtering at room temperature

著者 (7件)： SHIN In-Su (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Jongmyeong (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Donghyun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Donghyun (Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, KOR) ,  PARK Yongjo (Seoul National Univ., Suwon, KOR) ,  YOON Euijoon (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOON Euijoon (Seoul National Univ., Suwon, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6  ページ： 060306.1-060306.4  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DCマグネトロンスパッタリングによる室温でのSi(111)基板上のAlN層のエピタキシャル成長を調べた。AlN蒸着前のSi基板上への5nm厚Al層の予備堆積がAlN層のエピタキシャル成長に重要であることが分かった。AlN/Al/Siの配向関係は,AlN[1<span style=text-decoration:overline>1</span>00]||Al[0<span style=text-decoration:overline>1</span>1]||Si[11<span style=text-decoration:overline>2</span>]およびAlN[11<span style=text-decoration:overline>2</span>0]||Al[011]||Si[1<span style=text-decoration:overline>1</span>0]であることが観察され,Si(111)基板上のAlN層のエピタキシャル成長を示している。AlN層のこのエピタキシャル成長は,AlN[11<span style=text-decoration:overline>2</span>0]とSi[1<span style=text-decoration:overline>1</span>0]との間の格子不整合よりも,AlN[1<span style=text-decoration:overline>1</span>00]とAl[0<span style=text-decoration:overline>1</span>1],およびAlN[11<span style=text-decoration:overline>2</span>0]とAl[011]との間のより小さい格子不整合に起因していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *結晶方位 ,  単結晶 ,  窒化アルミニウム ,  *エピタクシー ,  室温 ,  *アルミニウム ,  *層 ,  格子不整合
準シソーラス用語： *DCマグネトロンスパッタリング ,  *Si(111) ,  エピタキシャル成長 ,  *中間層

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

引用文献 (30件)：

• J. W. Lee, S. H. Jung, H. Y. Shin, I.-H. Lee, C.-W. Yang, S. H. Lee, and J.-B. Yoo, J. Cryst. Growth 237-239, 1094 (2002).
• S. Zamir, B. Meyler, E. Zolotoyabko, and J. Salzman, J. Cryst. Growth 218, 181 (2000).
• B. Zhang and Y. Liu, Chin. Sci. Bull. 59, 1251 (2014).
• A. Bourret, A. Barski, J. L. Rouviere, G. Renaud, and A. Barbier, J. Appl. Phys. 83, 2003 (1998).
• H. Yang, W. Wang, Z. Liu, and G. Li, CrystEngComm 15, 7171 (2013).

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  Si ,  単結晶 ,  AlN ,  エピタキシャル成長