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J-GLOBAL ID：201802236143701361   整理番号：18A0005415

テラヘルツ帯フォトニック結晶とそのデバイス応用

Terahertz Photonic Crystals and Their Device Applications

著者 (1件)： 冨士田誠之 (大阪大)
資料名： レーザー研究  (レーザー学会誌)
巻： 45  号： 12  ページ： 752-756  発行年： 2017年12月20日 
JST資料番号： X0335A  ISSN： 0387-0200  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・テラヘルツ帯デバイス用の半導体材料として,フォトニック結晶に着目し,デバイス応用での基本素子構造であるフォトニック結晶スラブおよびスラブ構成材料の選択を解説。
・フォトニック結晶でのフォトニックバンドギャップ効果を述べ,テラヘルツ帯における実験結果として,屈折率に対するバンドギャップ特性や,自由キャリア吸収と抵抗率との関係などを説明。
・基本受動デバイスである導波路をテラヘルツ帯で実現した結果を示し,光波と比較すると動作周波数が低いために周波数帯に対する要求が厳しいことを指摘。

シソーラス用語： *光学素子 ,  *フォトニック結晶 ,  *テラヘルツ波 ,  周波数帯 ,  フォトニックバンドギャップ ,  光導波路 ,  平面導波路 ,  キャリア ,  周波数 ,  屈折率 ,  電気抵抗率 ,  半導体材料 ,  素子構造
準シソーラス用語： フォトニック結晶導波路 ,  自由キャリア

分類 (1件)： 光デバイス一般  (BD06010L)

引用文献 (24件)：

• 永妻忠夫:電子情報通信学会誌97(2014)918.
• M. Tonouchi: Nat. Photon. 1 (2007) 97.
• T. Nagatsuma, G. Ducournau, and C. C. Renaud: Nat. Photon. 10 (2016) 371.
• T. Nagatsuma, S. Hisatake, M. Fujita, H. H. N. Pham, K. Tsuruda, S. Kuwano, and J. Terada: IEEE J. Quant. Electron 52 (2016) 0600912.
• J. J. Zhang, S. Alexandrou, and Y. Hsiang: IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 53 (2005) 3281.

タイトルに関連する用語 (3件)： テラヘルツ ,  フォトニック結晶 ,  応用