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J-GLOBAL ID：201802237773430372   整理番号：18A0631512

Ta₂O₅ゲート絶縁膜によるInGaZnO薄膜トランジスタの低電圧駆動

著者 (7件)： 高橋崇典 (鶴岡工高専) ,  宝賀剛 (鶴岡工高専) ,  宮永良子 (奈良先端科学技術大学院大) ,  藤井茉美 (奈良先端科学技術大学院大) ,  石河泰明 (奈良先端科学技術大学院大) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大) ,  内山潔 (鶴岡工高専)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18a-E201-5  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲート絶縁膜 ,  酸化チタン ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  駆動 ,  *酸化タリウム ,  生産方式 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  TFT【トランジスタ】 ,  スパッタ法 ,  低電圧駆動

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ta2O5 ,  ゲート絶縁膜 ,  トランジスタ ,  低電圧駆動