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J-GLOBAL ID：201802238887349021   整理番号：18A0826779

酸化物半導体InGaZnO_x薄膜トランジスタの特性制御

著者 (4件)： 古田守 (高知工科大 大学院) ,  MEHADI Aman S G (高知工科大 大学院) ,  是友大地 (高知工科大 大学院) ,  曲勇作 (高知工科大 大学院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 2(OME2018 1-8)  ページ： 25-28  発行年： 2018年03月30日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化物半導体をチャネル材料とした薄膜トランジスタ(TFT)は,従来の非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移動度を示し,大面積均一性にも優れることより,大画面ディスプレイに向けた次世代TFTとして実用化が始まりつつある。しかしながらZnOやInGaZnO_xに代表される酸化物半導体のキャリア生成メカニズムやその特性制御法はシリコン(Si)TFTとは大きく異なる。今回,酸化物半導体TFTのキャリア生成メカニズムとその制御方法に関し,Si TFTプロセスと比較しつつ議論する。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ドーピング ,  表示装置 ,  *化合物半導体 ,  スパッタリング ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム
準シソーラス用語： *TFT【トランジスタ】 ,  大画面ディスプレイ ,  *酸化物半導体 ,  IGZO【半導体】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (14件)：

• J. Nishii, F. M. Hossain, S. Takagi, T. Aita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, I. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo, T. Fukumura, F. Matsukura, Y. Ohno, H. Koinuma, H. Ohno, and M. Kawasaki, ′′High mobility thin film transistors with transparent ZnO channels′′, Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L347.
• S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, and T. Kawai, ′′Transparent thin film transistors using ZnO as an active channel layer and their electrical properties′′, J. Appl. Phys. 93 (2003) 1624.
• R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, ′′ZnO based transparent thin-film transistors′′, Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 733.
• P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Jr., ′′Transparent ZnO thin-film transistor fabricated by rf magnetron sputtering′′, Appl. Phys. Lett., 82 (2003) 1117.
• T. Hirao, M. Furuta, H. Furuta, T. Matsuda, T. Hiramatsu, H. Hokari, and M. Yoshida, ′′High mobility top-gate zinc oxide thin-film transistors (ZnO-TFTs) for active-matrix liquid crystal displays′′ SID Int. Symp. Tec. Dig., 37 (2006) p.18.

タイトルに関連する用語 (2件)： 酸化物半導体 ,  薄膜トランジスタ