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J-GLOBAL ID：201802239113302613   整理番号：18A0226445

S雰囲気中フラッシュ蒸着によるSi(001)上CuInS₂薄膜のエピタキシャル成長

著者 (3件)： 江間義則 (静岡大 工) ,  増田悠人 (静岡大 工) ,  高橋崇宏 (静岡大 工)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C(Web)
巻： J100-C  号： 11  ページ： 545-548 (WEB ONLY)  発行年： 2017年11月01日 
JST資料番号： U0472A  ISSN： 1881-0217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si(001)基板上にCuInS₂の小塊を繰り返しフラッシュ蒸着し,エピタキシャル成長する条件を調べた。S蒸気を照射しながら,基板温度400°C,材料供給周期1秒程度,成膜速度では2Å/sec程度で,良好なエピタキシャル膜が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *硫黄 ,  *雰囲気 ,  *フラッシュ蒸着 ,  *ケイ素 ,  *インジウム化合物 ,  *銅化合物 ,  *硫化物 ,  *薄膜 ,  *エピタクシー ,  ウエハ【IC】 ,  基板温度 ,  エピタキシャル膜 ,  *二硫化銅インジュウム ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： *CuInS2 ,  Si基板

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (15件)：

• K. Ito, N. Matsumoto, T. Horiuchi, K. Ichino, H. Shimoyama, T. Ohashi, Y. Hashimoto, I. Hengel, J. Beier, R. Klenk, A. Jäger-Waldau, and M.C. Lux- Steiner, “Theoretical model and device performance of CuInS₂ thin film solar cell,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.39, part 1, no.1, pp.126-136, Jan. 2000.
• S. Steeger and K. Ellmer, “Reactive magnetron sputtering of CuInS₂ absorbers for thin film solar cells: problems and prospects,” Thin Solid Films, vol.517, pp.3143-3147, 2009.
• T. Watanabe and M. Matsui, “Solar cells based on CuInS₂ thin films through sulfurization of precursors prepared by reactive sputtering with H₂S gas,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.35, part 1, no.3, pp.1681-1684, March 1996.
• T. Onishi, K. Abe, Y. Miyoshi, M. Iwai, and K. Wakita, “Defect states in CuInS₂ crystals grown by traveling heater method,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.44, no.1B, pp.722-724, Jan. 2005.
• F.O. Adurodija, J. Song, S.D. Kim, S.K. Kim, and K.H. Yoon, “Characterization of CuInS₂ thin films grown by close-spaced vapor sulfurization of co-sputtered Cu-In alloy precursors,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.37, part 1, no.8, pp.4248-4253, Aug. 1998.

タイトルに関連する用語 (6件)： 雰囲気 ,  フラッシュ蒸着 ,  Si ,  CuInS2 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長