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J-GLOBAL ID：201802239172721041   整理番号：18A0462532

薄膜HfO₂を用いた強誘電体トンネル接合メモリー

Ferroelectric Tunnel Junction Memory with HfO₂ Thin Film

著者 (2件)： 藤井章輔 (東芝) ,  齋藤真澄 (東芝)
資料名： 東芝レビュー(Web)  (Toshiba Review (Web))
巻： 72  号： 4  ページ： 65-68 (WEB ONLY)  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： U1316A  ISSN： 2432-1168  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 薄膜の強誘電体を利用したトンネル接合(FTJ:Ferroelectric Tunnel Junction)メモリーは,次世代の不揮発性メモリーとして研究が進められている。しかし,一般に用いられているペロブスカイト型の強誘電体材料は,CMOS(相補型金属酸化膜半導体)製造プロセスに組み込むことが難しいという課題があった。東芝は,CMOS製造プロセスに組み込むことが容易な強誘電体材料の酸化ハフニウム(HfO₂)膜を適用したFTJ(HfO₂FTJ)メモリーを試作し,世界に先駆けてHfO₂FTJメモリーによるメモリー動作を実証するとともに,低電流動作及び電圧駆動が可能で,整流特性を持つなど,近年注目されている様々な新規不揮発性メモリーよりも優れた特性を持つことを確認した。また,動作電圧に対する設計指針を構築し,動作電圧を低減することができた。(著者抄録)

シソーラス用語： *非破壊読出メモリ ,  *酸化ハフニウム ,  誘電体薄膜 ,  記憶特性 ,  *記憶装置 ,  電気特性
準シソーラス用語： *強誘電体トンネル接合メモリ ,  *HfO₂FTJメモリ ,  強誘電体特性

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (6件)：

• Fujii, S. et al. ′′First demonstration and performance improvement of ferroelectric HfO₂-based resistive switch with low operation current and intrinsic diode property′′. 2016 IEEE symposium on VLSI technology Digest of Technical Papers. Honolulu, HI, 2016-06, IEEE. 2016, p.148-149.
• Kohlstedt, H. et al. Theoretical current-voltage characteristics of ferroelectric tunnel junctions. Phys. Rev. B, 2005, 72, 12, p.125341.1-125341.10.
• Garcia, V. et al. Giant tunnel electroresistance for non-destructive readout of ferroelectric states. Nature, 2009, 460, 7251, p.81-84.
• Böscke, T. S. et al. Ferroelectricity in hafnium oxide thin films. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 10, p.102903-1-102903-3.
• Tian, X. et al. ′′Tunneling Electro-resistance Effect in Ultra-thin Ferroelectric HfO₂ Junctions′′. 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials. Tsukuba, 2016-09, Jpn. Soc. Appl. Phys. 2016, p.625-626.

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  HfO2 ,  強誘電体 ,  トンネル接合 ,  メモリー