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J-GLOBAL ID：201802240125705047   整理番号：18A1593003

疲労荷重下の単結晶シリコンにおける亜臨界欠陥蓄積の電子イメージング【JST・京大機械翻訳】

Electronic imaging of subcritical defect accumulation in single crystal silicon under fatigue loading

著者 (4件)： Kamiya Shoji (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Kongo Akira (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Sugiyama Hiroko (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Izumi Hayato (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 279  ページ： 705-711  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分解能電子ビーム誘起電流(EBIC)イメージング技術により,相対湿度75%の50°Cでの圧縮疲れ荷重下での単結晶シリコンの欠陥蓄積過程を可視化することに成功した。深くエッチされた応力集中ノッチから生じる暗線状欠陥コントラストは,走査電子顕微鏡におけるEBIC画像中に現れたが,ある種の疲労サイクル後には,それらは主に二次電子で見えなかった。この線状欠陥コントラストは,最大分解せん断応力を持つシリコンの結晶すべり系の一つに対応して期待される方向に沿って最終的に広がった。したがって,結晶滑りは繰返し荷重下でバルクシリコン中で起こり,それはおそらく局所応力集中をもたらし,特に引張応力が疲れサイクルに適用される場合には疲れ破壊にさらなるものとなることが強く示唆される。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子線誘起電流 ,  剪断応力 ,  繰返し荷重 ,  可視化 ,  *ケイ素 ,  コントラスト ,  *画像処理 ,  電子顕微鏡観察 ,  疲れ破壊 ,  走査電子顕微鏡 ,  切欠き ,  応力集中 ,  *結晶 ,  局部応力 ,  二次電子 ,  *単結晶シリコン

著者キーワード (6件)： 単結晶シリコン ,  機械的疲労 ,  結晶欠陥 ,  スリップシステム ,  分解せん断応力 ,  EBICイメージング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 疲労荷重 ,  単結晶シリコン ,  亜臨界 ,  欠陥 ,  蓄積 ,  電子 ,  イメージング