文献

J-GLOBAL ID：201802240586808501   整理番号：18A1790638

走査型静電容量力顕微鏡による炭化ケイ素二重拡散MOSFETのナノスケール研究

Nanoscale investigation of the silicon carbide double-diffused MOSFET with scanning capacitance force microscopy

著者 (4件)： NAKAJIMA Mizuki (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  UCHIDA Yuki (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  SATOH Nobuo (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  YAMAMOTO Hidekazu (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 8S1  ページ： 08NB09.1-08NB09.6  発行年： 2018年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *力顕微鏡 ,  *静電容量 ,  *炭化ケイ素 ,  *拡散 ,  *MOSFET ,  規模 ,  電力トランジスタ ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  絶縁耐力 ,  *原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： *走査型力顕微鏡 ,  二重拡散 ,  ナノスケール ,  パワー半導体 ,  高耐圧 ,  *周波数変調原子間力顕微鏡

分類 (3件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (33件)：

• H. Yamamoto, Y. Murakami, H. Nishimura, S. Takahashi, N. Tokuda, K. Shimizu, A. Furukawa, S. Yamakawa, and M. Imaizumi, Denshi Joho Tsushin Gakkai Ronbunshi C J92-C, 159 (2009) [in Japanese].
• H. Yamamoto and T. Hashizume, Phys. Status Solidi C 8, 662 (2011).
• N. B. Hannay, Semiconductors (Reinhold Publishing Corporation, New York, 1959) p. 52.
• W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, I. Omura, T. Ogura, and H. Ohashi, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2528 (2003).
• E. G. Bylander, Materials for Semiconductor Functions (Hayden, New York, 1971) p. 14.

タイトルに関連する用語 (8件)： 走査型 ,  静電容量 ,  力顕微鏡 ,  炭化ケイ素 ,  二重拡散 ,  MOSFET ,  ナノスケール ,  研究