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J-GLOBAL ID：201802240874739737   整理番号：18A1056182

Al/Al₂O₃/Cu₂Se/Au構造素子の非対称ヒステリシスI-V特性

著者 (3件)： 江間義則 (静岡大 工) ,  小川満太郎 (静岡大 工) ,  高橋崇宏 (静岡大 工)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C(Web)
巻： J101-C  号： 2  ページ： 119-123 (WEB ONLY)  発行年： 2018年02月01日 
JST資料番号： U0472A  ISSN： 1881-0217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Al/Al₂O₃/Cu₂Se/Au構造試料で,Auを正電圧として数Vのしきい値を越えると急激に電流が流れる片極性ヒステリシスI-V特性を観測した。一度しきい値を超え低抵抗状態となるとその状態を保ちメモリ効果を示した。導電パスが形成されるとする導電機構を提示した。(著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム ,  *アルミナ ,  *セレン化銅 ,  *金 ,  *非対称性 ,  *ヒステリシス ,  *電流電圧特性 ,  閾値 ,  記憶効果 ,  導電性 ,  *固体素子

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

引用文献 (11件)：

• 島久,澤彰仁,“抵抗変化メモリReRAM の技術開発最新動向,” 信学誌,vol.95, no.11, pp.992-997, Nov. 2012.
• 井上公,“RRAM の原理はどこまで理解できたのか?,” 日本物理学会誌,vol.70, no.11, pp.814-823, Nov. 2015.
• 藤崎芳久,“不揮発性半導体メモリー技術の現状,” 応用物理学会誌,vol.77, no.9, pp.1060-1071, Sept. 2008.
• S.M. Sze, “§9.4 MIS tunnel diode, §9.5 MIS switch diode,” Physics of semiconductor devices 2nd-ed., pp.540-553, A Wiley-interscience publication, 1981.
• 森垣和夫,丸山瑛一,清水立生,米沢富美子,広瀬全孝, 田中一宜,菊池誠(監修),田中一宜(編),“§8.2 電気的スイッチおよびメモリ素子,” アモルファス半導体の基礎,pp.175-178, オーム社,1982.

タイトルに関連する用語 (7件)： Al ,  Al2O3 ,  Au ,  構造素子 ,  非対称 ,  ヒステリシス ,  I-V特性