文献
J-GLOBAL ID:201802240874739737   整理番号:18A1056182

Al/Al2O3/Cu2Se/Au構造素子の非対称ヒステリシスI-V特性

著者 (3件):
資料名:
巻: J101-C  号:ページ: 119-123 (WEB ONLY)  発行年: 2018年02月01日 
JST資料番号: U0472A  ISSN: 1881-0217  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
Al/Al2O3/Cu2Se/Au構造試料で,Auを正電圧として数Vのしきい値を越えると急激に電流が流れる片極性ヒステリシスI-V特性を観測した。一度しきい値を超え低抵抗状態となるとその状態を保ちメモリ効果を示した。導電パスが形成されるとする導電機構を提示した。(著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス一般 
引用文献 (11件):
もっと見る

前のページに戻る