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J-GLOBAL ID：201202281211377212   整理番号：12A1598975

世界的な競争領域にある最先端デバイス技術 2.不揮発性メモリ技術の最前線 2-3 抵抗変化メモリReRAMの技術開発最新動向

著者 (2件)： 島久 (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  澤彰仁 (産業技術総合研 電子光技術研究部門)
資料名： 電子情報通信学会誌  (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
巻： 95  号： 11  ページ： 992-997  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： F0019A  ISSN： 0913-5693  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 遷移金属酸化物を用いた抵抗変化メモリReRAM(Resistive Random Access Memory)は,メモリ動作の省電力性,CMOSプロセスとの高い親和性,スケーラビリティに優れたメモリ技術であり,次世代不揮発性メモリの有力候補である。本稿では,ReRAMの動作性能について技術開発の最新動向を紹介するとともに,実用化に必須なReRAMの信頼性向上や,メモリアレーの更なる高集積化に向けて検討を進めるべき技術課題について概説する。(著者抄録)

シソーラス用語： *技術展望 ,  競争力 ,  *RAM【メモリ】 ,  不揮発性メモリ ,  酸化物 ,  遷移金属化合物
準シソーラス用語： 国際競争力 ,  *ReRAM ,  遷移金属酸化物 ,  *抵抗変化型メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (25件)：

• LEE, H.-Y. Low-power switching of nonvolatile resistive memory using hafnium oxide. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, 4B, 2175-2179
• KIM, Y.-M. Reproducible resistance switching characteristics of hafnium oxide-based nonvolatile memory devices. J. Appl. Phys. 2008, 104, 114115
• LEE, H. Y. Electrical evidence of unstable anodic interface in Ru/HfO_x/TiN unipolar resistive memory. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 142911
• LEE, H. Y. Low power and high speed bipolar switching with a thin reactive Ti buffer layer in robust HfO_2 based RRAM. IEDM Tech. Dig., 2008. 2008, 297-300
• CHEN, Y. S. Highly scalable Hafnium oxide memory with improvements of resistive distribution and read disturb immunity. IEDM Tech, Dig., 2009. 2009, 105-108

タイトルに関連する用語 (8件)： 世界 ,  競争 ,  最先端 ,  不揮発性メモリ ,  抵抗変化メモリ ,  ReRAM ,  開発 ,  最新動向