文献

J-GLOBAL ID：201802241141871550   整理番号：18A0995119

CMOSウエハ貯蔵中のアルミニウムボンドパッド上の結晶欠陥形成と欠陥除去のためのプロセス戦略【JST・京大機械翻訳】

Crystalline defect formation on aluminum bond pads during CMOS wafer storage and process strategies for defect elimination

著者 (4件)： Pani Santosh Kumar (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D, Street 2, Singapore 738406) ,  Hogan Royston Hugh (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D, Street 2, Singapore 738406) ,  Pandurangan Madhavan (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D, Street 2, Singapore 738406) ,  Nistala Ramesh Rao (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D, Street 2, Singapore 738406)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 36  号： 3  ページ： 031202-031202-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶性のフッ化アルミニウム欠陥を,ウエハの相補的な金属酸化物半導体プロセスから,1か月以下の貯蔵後に,ウエハのアルミニウム結合パッド上に観察した。これらの欠陥は,付着パッドアルミニウム表面上の核形成サイトとさらに反応し,結晶性のフッ化アルミニウム欠陥をもたらす,残留ボンドパッド側壁フルオロカーボンエッチングポリマーにより,フロント開口統一ポッドウエハ貯蔵容器における水分の反応により形成された。高分子フリーエッチングプロセスまたは高効率ポステッチ高分子溶媒ストリップを用いた残留ボンドパッドフルオロカーボン高分子の除去は,結晶性無欠陥貯蔵時間(6か月)の著しい改善をもたらした。しかし,側壁高分子フリーウエハの12か月貯蔵は,結晶性フッ化アルミニウム欠陥の再出現を示した。長期間のフッ化アルミニウム結晶欠陥の出現に寄与するフッ素源は,アルミニウム結合パッドの上部50Åにおける表面フッ素であった。表面フッ素レベルを3%~4%から1.5%(Auger電子分光法により)に低下させると,36か月までの無欠陥ウエハ貯蔵が得られた。O_2/H_2プラズマレジストストリップと高温ポリマー溶媒ストリップをポステッチ処理に組み込むことは,効果的な表面フッ素還元プロセス戦略であることが分かった。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フッ化アルミニウム ,  核形成 ,  高分子 ,  Auger分光法 ,  フッ素 ,  高温 ,  *パッド ,  重合体 ,  *アルミニウム ,  *格子欠陥 ,  帯板 ,  水分 ,  結晶度 ,  付着
準シソーラス用語： *ボンドパッド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： CMOS ,  ウエハ ,  貯蔵 ,  アルミニウム ,  ボンドパッド ,  結晶欠陥 ,  欠陥 ,  プロセス ,  戦略