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J-GLOBAL ID：201802241528472848   整理番号：18A0423278

4H SiC金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるバイアス温度不安定性:電気的に検出した磁気共鳴から得られた洞察【Powered by NICT】

Bias temperature instabilities in 4H SiC metal oxide semiconductor field effect transistors: Insight provided by electrically detected magnetic resonance

著者 (5件)： Lenahan P.M. (Dept. Engineering Science and Mechanics, The Pennsylvania State University, 212 Earth & Engineering Sciences Bldg., University Park, PA 16802, United States) ,  Lenahan P.M. (Inter-College Graduate Degree Program in Materials Science, The Pennsylvania State University, 212 Earth & Engineering Sciences Bldg., University Park, PA 16802, United States) ,  Anders M.A. (Inter-College Graduate Degree Program in Materials Science, The Pennsylvania State University, 212 Earth & Engineering Sciences Bldg., University Park, PA 16802, United States) ,  Waskiewicz R.J. (Dept. Engineering Science and Mechanics, The Pennsylvania State University, 212 Earth & Engineering Sciences Bldg., University Park, PA 16802, United States) ,  Lelis A.J. (United States Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, MD 20783, United States)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 81  ページ： 1-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気的検出磁気共鳴(EDMR)に基づく4H SiCベース金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)における負バイアス温度不安定性(NBTI)の物理的機構に関して洞察を示した。ほとんどこの洞察はNBTIに焦点を当てた直接EDMR研究から生じた結果であるがより広く二基本的な問題に焦点を当て検討した。(1)処理された欠陥は,SiC/酸化物界面近くに存在する(2)酸化物電荷の存在はシリコンベース素子におけるバイアス温度不安定性の磁気共鳴研究へのSiCの結果を比較したSiC/誘電体界面における電気的に活性な欠陥を変化させる方法。著者らの解析はSiC素子における現象の部分的な理解を提供する入院が,分析は,いくつかの合理的に最終的な結論を可能にした。4H SiC MOSFETにおけるNBTI現象であるSiベースMOSFETよりも確かに異なっていた。(1)界面ダングリングボンドは,複数の環境下でのSiC MOSFET界面トラップに重要な役割を果たしていると思われる,NBTIへの顕著な要因ではないことを強く示唆している。(2),ほとんど酸化物トラップの良く知られたE′ファミリーを含む確かに,酸化物欠陥はSiCデバイスNBTI(負バイアス温度不安定性に重要な役割を果たしているが,驚くべきことにSiC基板内の欠陥を含む他の欠陥も関与している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電体 ,  *磁気共鳴 ,  電荷 ,  *半導体 ,  界面 ,  MOSFET ,  ダングリングボンド ,  *ケイ素 ,  *酸化物 ,  FET【トランジスタ】 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  SiC素子 ,  NBTI ,  *バイアス温度不安定性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MOSFET ,  4H-SiC ,  NBTI ,  EDMR

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  バイアス温度不安定性 ,  磁気共鳴 ,  洞察