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J-GLOBAL ID：201802241586329608   整理番号：18A0376347

Sバンド用変圧器を組み合わせた完全一体型リニアCMOSパワーアンプ

Fully-integrated linear CMOS power amplifier with proportional series combining transformer for S-Band applications

著者 (7件)： Wu Haigang (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology) ,  Li Bin (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology) ,  Wu Zhaohui (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology) ,  Hu Yunfeng (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology) ,  Wang Kun (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology) ,  Liang Zhen (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology) ,  Liu Yang (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 15  号： 1  ページ： 20171100(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力増幅器(PA)に用いる変圧器を組み合わせた新しい比例直列回路を提案する。バランス構造を組み合わせた構造と比較して,高度な出力調整とインピーダンス調整により高効率範囲を拡張する。コンセプトの証明として,提案変圧器を備えた2.5VデュアルチャンネルPAを標準0.18μmCMOSプロセスで実装した。製造PAは,それぞれ33.5%および31%の電力付加効率(PAE)で,28dBmの飽和出力電力(P_sat)および26.8dBmの最大線形出力電力(P_1-dB)を達成した。パワーモード制御では,高効率範囲が8.2dBを超えた。PAは,それぞれLTE 2.3GHz 20MHz/64QAM信号とWLAN 802.11g信号のEVM要件を満たした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 周波数帯 ,  変圧器 ,  *一体構造 ,  *線形系 ,  *半導体プロセス ,  *電力増幅器 ,  直列接続 ,  調整 ,  電力付加効率 ,  電力
準シソーラス用語： Sバンド ,  *CMOSプロセス ,  直列回路 ,  出力調整 ,  出力電力

著者キーワード (5件)： power amplifier ,  transformer ,  power combiner ,  proportional ,  power mode control

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (13件)：

• [1] W. Kimet al.: “An EDGE/GSM quad-band CMOS power amplifier,” IEEE J. Solid-State Circuits 49 (2014) 2141 (DOI: 10.1109/JSSC.2014.2338873).
• [2] J. Kimet al.: “A linear multi-mode CMOS power amplifier with discrete resizing and concurrent power combining structure,” IEEE J. Solid-State Circuits 46 (2011) 1034 (DOI: 10.1109/JSSC.2011.2118010).
• [3] J. Kimet al.: “A fully-integrated high-power linear CMOS power amplifier with a parallel-series combining transformer,” IEEE J. Solid-State Circuits 47 (2012) 599 (DOI: 10.1109/JSSC.2011.2180977).
• [4] K. Kimet al.: “A two-stage broadband fully integrated CMOS linear power amplifier for LTE applications,” IEEE Trans. Circuits Syst. II, Exp. Briefs 63 (2016) 533 (DOI: 10.1109/TCSII.2016.2530418).
• [5] J. Choiet al.: “Optimized envelope tracking operation of Doherty power amplifier for high efficiency over an extended dynamic range,” IEEE Trans. Microw. Theory Techn. 57 (2009) 1508 (DOI: 10.1109/TMTT.2009.2020674).

タイトルに関連する用語 (6件)： Sバンド ,  変圧器 ,  体型 ,  リニア ,  CMOS ,  パワーアンプ