EUV,特殊構造体および3RD生成単一拡散ブレークによる最小FinFETおよび最小SRAMセルを特徴とする真の7nmプラットフォーム技術【JST・京大機械翻訳】

Jeong WC; Maeda S.; Lee HJ; Lee KW; Lee TJ; Park DW; Kim BS; Do JH; Fukai T; Kwon DJ; Nam KJ; Rim WJ; Jang MS; Kim HT; Lee YW; Park JS; Lee EC; Ha DW; Park C.H.; Cho H.-J.; Jung S.-M.; Kang H.K.

文献

J-GLOBAL ID：201802241844050473 整理番号：18A2029285

EUV,特殊構造体および3RD生成単一拡散ブレークによる最小FinFETおよび最小SRAMセルを特徴とする真の7nmプラットフォーム技術【JST・京大機械翻訳】

True 7nm Platform Technology featuring Smallest FinFET and Smallest SRAM cell by EUV, Special Constructs and 3^rd Generation Single Diffusion Break

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著者 (22件)： , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 2018 号： VLSI Technology ページ： 59-60 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

EUVリソグラフィーを完全に利用する7nmプラットフォーム技術を開発した。そこでは,EUVを,MOLとBEOLの単一パターン形成のために,SADP/SAQPの切断の手段としてだけでなく,簡単に使用した。27nmのフィンピッチ(FP)と54nmの接触ピッチ(CPP)の組合せと,0.0262um2の高密度SRAMセルサイズは,報告されたFinFETプラットフォームにおいて最小である。更なるスケーリングは特別な構成と3次世代の単一拡散破壊により確保される。256MビットSRAMと大規模論理テストチップの完全な動作を保証された信頼性で実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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医用画像処理 , 音声処理 , NMR一般 , 符号理論 , 図形・画像処理一般

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