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J-GLOBAL ID：201802242217552465   整理番号：18A1777167

1kA/cm2および960V Eモードβ-Ga_2O_3垂直トランジスタにおける破壊機構【JST・京大機械翻訳】

Breakdown mechanism in 1 kA/cm² and 960 V E-mode β-Ga₂O₃ vertical transistors

著者 (11件)： Hu Zongyang (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Nomoto Kazuki (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Li Wenshen (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Zhang Zexuan (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Tanen Nicholas (Department of Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Thieu Quang Tu (Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Sasaki Kohei (Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Kuramata Akito (Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Nakamura Tohru (Center for Micro-Nano Technology, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-0003, Japan) ,  Jena Debdeep (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Xing Huili Grace (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 12  ページ： 122103-122103-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1kA/cm2の高電流密度を,フィン型チャネルを有するエンハンスモードGa_2O_3垂直パワー金属-絶縁体電界効果トランジスタにおいて実験的に実現した。比較解析により,以前の技術に比べて2倍以上の電流密度が,より大きなトランジスタチャネル幅から生じることを示した。他方,より広いチャネルは,より厳しいドレイン誘起障壁低下をもたらし,従って,ゼロゲート源バイアスでの早期トランジスタ破壊をもたらす。より広いチャネルにおけるより高い電流密度の観測は,ゲート誘電体における電荷トラッピングがこれらのトランジスタチャネルにおける実効電界効果移動度を制限することを確認した。それはGa_2O_3ドリフト層における電子移動度より約2×小さい。出力電流密度と破壊電圧の間のトレードオフもトラップ密度に依存する。最小トラップ状態では,出力電流密度は高いままであるが,破壊電圧はフィンチャネル幅の減少と共に増加する。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 金属 ,  *トランジスタ ,  フィン ,  FET【トランジスタ】 ,  ドリフト ,  電流密度 ,  バイアス ,  チャネル ,  ゲート絶縁膜 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  電界効果移動度 ,  絶縁破壊電圧 ,  電荷捕獲 ,  チャネル幅 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 垂直 ,  トランジスタ ,  破壊