Hu Zongyang について
School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA について
Nomoto Kazuki について
School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA について
Li Wenshen について
School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA について
Zhang Zexuan について
School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA について
Tanen Nicholas について
Department of Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA について
Thieu Quang Tu について
Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan について
Sasaki Kohei について
Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan について
Kuramata Akito について
Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan について
Nakamura Tohru について
Center for Micro-Nano Technology, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-0003, Japan について
Jena Debdeep について
School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA について
Xing Huili Grace について
School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA について
Applied Physics Letters について
金属 について
トランジスタ について
フィン について
FET【トランジスタ】 について
ドリフト について
電流密度 について
バイアス について
チャネル について
ゲート絶縁膜 について
絶縁体 について
電子移動度 について
電界効果移動度 について
絶縁破壊電圧 について
電荷捕獲 について
チャネル幅 について
トランジスタ について
垂直 について
トランジスタ について
破壊 について