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J-GLOBAL ID：201802243256993683   整理番号：18A1262079

ナノインプリントテンプレートのための有機/無機二層リフトオフを用いた画像反転,トポグラフィーおよび特徴サイズ操作【JST・京大機械翻訳】

Image inverting, topography and feature size manipulation using organic/inorganic bi-layer lift-off for nanoimprint template

著者 (2件)： Si Shuhao (Technische Universitaet Ilmenau, IMN MacroNano, Micromechanical Systems Group, Germany) ,  Hoffmann Martin (Ruhr-Universitaet Bochum, Chair Microsystems Technology, Germany)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 197  ページ： 39-44  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 逆画像トーン,修正地形および調整可能な特徴サイズを有する複数のNILテンプレートを製造するための高速でコスト効率的な手法を提示した。負のマスタからのナノパターンは,高温焼成を排除するUV硬化二層リフトオフ法を用いて作製したNILテンプレートにおいて正の構造に反転した。純有機レジストの150nm犠牲層と無機/有機複合材料の200nmパターン形成レジストから成る二層を用いた。新しいNILテンプレート上のトポグラフィーは,円形ナノホールを持つ単一マスタから生成される正方形レイアウトである。マスタ上の特徴サイズは,非常に制御可能な方法で,サブ200nm(120/200/250/300nm)まで縮小した。150mmウエハスケールまでのナノ構造を,周囲の中心からエッジへのスキームを用いてソフトUV-NILにより転写した。パターン形成層における開口部の特徴サイズは,マスタから生成されるナノピラミッドをもつ中間テンプレートの利点を利用して,正確かつ制御可能に調整できる。有機犠牲層は,酸素プラズマにより熱分解され,過小になる。さらに,40nmのクロムを蒸発させ,パターン形成層と共に犠牲層を湿式化学ストリッパTexnisトリップ P1316により浮上させた。クロムエッチングマスクを用いたシリコンエッチングは,NILテンプレートのための滑らかで垂直な側壁に従事している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 複合材料 ,  パターン形成 ,  *画像 ,  ナノ構造 ,  クロム ,  レジスト ,  熱分解 ,  ナノメータ加工
準シソーラス用語： 酸素プラズマ ,  ナノピラミッド ,  ナノホール ,  犠牲層 ,  ナノパターン ,  *リフトオフ ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ソフトUV-NIL ,  二層リフトオフ ,  ナノ加工 ,  低温製造 ,  調整可能な特徴サイズ ,  ナノチューブ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二層 ,  リフトオフ ,  反転 ,  トポグラフィー ,  サイズ