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J-GLOBAL ID：201802243503543557   整理番号：18A0995162

TOF-SIMSにおける分子イオン検出のための低エネルギービスマス一次イオンビーム【JST・京大機械翻訳】

Low-energy bismuth primary ion beams for molecular ion detection in TOF-SIMS

著者 (2件)： Miyayama Takuya (ULVAC-PHI Inc., 370 Enzo, Chigasaki, Kanagawa 253-8522, Japan) ,  Iida Shin-ichi (ULVAC-PHI Inc., 370 Enzo, Chigasaki, Kanagawa 253-8522, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 36  号： 3  ページ： 03F126-03F126-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低エネルギー(サブkeV)ビスマス一次イオンビームを飛行時間二次イオン質量分析(ToF-SIMS)に用いて,有機材料中の分子イオンを検出するためのそれらの適合性を調べた。本研究では,2keV Bi_3+(667eV/原子)一次イオンビームを,54keV Bi_3++(18keV/原子)ビームと比較した。2keV Bi_3+ビームは,54keV Bi_3++ビームと比較して,いくつかの有機材料に対してはるかに少ないフラグメンテーションを検出した。原子レベルのフラグメンテーションは,2keV Bi_3+ビームにより最も顕著に抑制され,脱プロトン化分子[M-H+]も著しく抑制された。結果として,2keV Bi_3+ビームを用いたプロトン化分子[M+H]+の代わりに,無傷分子(M+)と興味深いことに,ビスマス付着二次イオン[M+Bi]+が観察された。結果は,低エネルギービスマス一次イオンビームがToF-SIMSにおける分子イオン検出の潜在的候補であることを示唆した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 脱プロトン ,  適応性 ,  有機材料 ,  プロトン化 ,  *イオンビーム ,  フラグメンテーション
準シソーラス用語： *低エネルギー ,  *分子イオン ,  TOF-SIMS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (5件)： TOF-SIMS ,  分子イオン ,  低エネルギー ,  ビスマス ,  イオンビーム