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J-GLOBAL ID:201802243585080680   整理番号:18A1999198

前駆体としてn-オクタンを用いた低圧化学蒸着により合成したグラフェンのキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Characterization of graphene synthesized by low-pressure chemical vapor deposition using N-Octane as precursor
著者 (5件):
資料名:
巻: 219  ページ: 189-195  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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前駆体として高炭素含有量のn-オクタンを用いた単層グラフェン合成について報告した。メタノール,エタノールおよび他の液体炭素前駆体とは異なり,n-オクタンは酸素フリーであり,その分子構造は単純に一般的な炭化水素である。合成のための最適前駆体圧力は5~20mTorrの範囲にあり,高い分圧では,Raman分光法によって明らかにされたように,表面に平行な{111}面を持つ銅基板の二層と数層被覆を達成した。850°Cまでの合成温度を下げ,低濃度の欠陥をもつグラフェン層を得た。基板の完全被覆率については,通常の合成時間よりも短く,5分を超えないことを報告した。グラフェン層のキャラクタリゼーションを,Raman散乱分光法とマッピング,UV-vis透過率,原子間力顕微鏡,走査トンネル分光法を用いて行った。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 
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