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J-GLOBAL ID：201802244226368119   整理番号：18A1334322

非対称接合容量を持つ共通ゲート4重ドット単一電子デバイスにおける異常な単一電子輸送

Anomalous single-electron transfer in common-gate quadruple-dot single-electron devices with asymmetric junction capacitances

著者 (2件)： IMAI Shigeru (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ITO Masato (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6  ページ： 064001.1-064001.13  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,非対称接合容量をもつ共通ゲート四重ドットターンスタイル素子における異常な単一電子輸送を明らかにした。すなわち,島は,単一電子を輸送するスイングの高いおよび低いゲート電圧において,同じ総数の過剰電子を持っている。もう一つの状況では,二つの電子がソースから島に入り,二つの電子がゲート電圧スイングサイクルの間にソースとドレインの島を残す。最初に,ターンスタイルデバイスの安定性ダイアグラムを提示した。次に,ゲート電圧スイングによる単一電子トンネル現象のシーケンスを調べ,ソースとドレイン間の上記の異常な単一電子輸送を実証した。異常な単一電子輸送は,三つの仮想島と仮想三重ドット素子の仮想ソースまたはドレイン電極としての四つの島に関して理解できる。4つの島の異常な挙動は,単一電子を輸送する仮想島の通常の挙動と仮想電極の挙動によって説明される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *非対称性 ,  *容量 ,  *半導体素子 ,  電子 ,  電圧 ,  *トンネル効果
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  過剰電子 ,  *接合容量 ,  *単一電子デバイス

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (28件)：

• R. Augke, W. Eberhardt, S. Stähle, F. E. Prins, and D. P. Kern, Microelectron. Eng. 46, 141 (1999).
• T. Koester, F. Goldschmidtboeing, B. Hadam, J. Stein, S. Altmeyer, B. Spangenberg, H. Kurz, R. Neumann, K. Brunner, and G. Abstreiter, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 465 (1999).
• G. J. Evans, H. Mizuta, and H. Ahmed, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 5837 (2001).
• R. Nuryadi, H. Ikeda, Y. Ishikawa, and M. Tabe, IEEE Trans. Nanotechnol. 2, 231 (2003).
• R. Nuryadi, H. Ikeda, Y. Ishikawa, and M. Tabe, Appl. Phys. Lett. 86, 133106 (2005).

タイトルに関連する用語 (6件)： 非対称 ,  接合容量 ,  ゲート ,  ドット ,  単一電子デバイス ,  単一電子輸送