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J-GLOBAL ID：201802244336898437   整理番号：18A0123812

結晶成長の空間選択性に基づいた単結晶金属酸化物ナノワイヤの創製とナノデバイス展開

Space selective crystal growth induced single crystalline metal oxide nanowires and their nanodevice applications

著者 (3件)： 柳田剛 (九大 先導物質化研) ,  長島一樹 (九大 先導物質化研) ,  高橋綱己 (九大 先導物質化研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 87  号： 1  ページ： 29-33  発行年： 2018年01月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 機能物性の宝庫である金属酸化物を「結晶成長の空間選択性」により,基板上の狙った空間位置のみに高品質な単結晶ナノワイヤ構造やヘテロナノワイヤ構造として設計し,1本の単結晶ナノワイヤ物性測定,新しい酸化物ナノワイヤデバイス(ナノワイヤメモリスタ,ナノワイヤ熱電素子,ナノワイヤ生体分子分析,ナノワイヤ分子認識センサ)へと展開してきた筆者らの一連の研究内容について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  単結晶 ,  *金属酸化物 ,  熱電素子 ,  分子認識 ,  分子 ,  センサ ,  *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  フラックス法 ,  *VLS成長 ,  素子構造
準シソーラス用語： *ナノデバイス ,  *メモリスタ ,  ヘテロ構造 ,  生体分子 ,  抵抗変化メモリ

分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (33件)：

• M. Yazawa, M. Koguchi, and K. Hiruma: Appl. Phys. Lett. 58, 1080 (1991).
• M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, and K. Kishino: Jpn. J. Appl. Phys. 36, L459 (1997).
• 本久順一,福井孝志:応用物理 75,296(2006).
• 富岡克広,福井孝志:応用物理 81,59(2012).
• H. M. Fahad, H. Shiraki, M. Amani, C. Zhang, V. S. Hebbar, W. Gao, H. Ota, M. Hettick, D. Kiriya, Y.Z. Chen, Y.-L. Chueh, and A. Javey: Sci. Adv. 3, e1602557 (2017).

タイトルに関連する用語 (8件)： 結晶成長 ,  選択性 ,  単結晶 ,  金属酸化物 ,  ナノワイヤ ,  創製 ,  ナノデバイス ,  展開