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J-GLOBAL ID：201802244902605171   整理番号：18A2206862

コンパクトな半導体デバイスを用いた テラヘルツ開拓

Development of Terahertz Technology by Compact Semiconductor Devices

著者 (1件)： 鈴木左文
資料名： 通信ソサイエティマガジン  (B-Plus)
巻： 12  号： 3  ページ： 183-189(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： L6624A  ISSN： 1884-4863  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 以前からテラヘルツ(THz)周波数帯には期待が寄せられていたが,現在,第5世代移動体通信や車載の期待が改めて高まっている. THz帯応用の可能性はフェムト秒パルスレーザを用いたTHz時間領域分光法やTHzパラメトリック光線を利用したシステムによって切り開かれてきたが, 今後, THz帯の応用実現の鍵となるのは半導体を用いたコンパクトな光源及び受信機と考えられる. 本稿ではトランジスタやダイオード, 及び, 量子カスケードレーザやフォトダイオードなどコンパクトなデバイスの候補に関する動向についてまとめるとともに, その中から近年国内外で研究の動きが活発になっている共鳴トンネルダイオードを用いたデバイスについて紹介する.(著者抄録)

シソーラス用語： *テラヘルツ波 ,  *無線伝送 ,  トランジスタ ,  ダイオード ,  量子カスケードレーザ ,  フォトダイオード ,  共鳴トンネルダイオード ,  *半導体素子 ,  *発振器 ,  受信機 ,  *電気回路
準シソーラス用語： RFフロントエンド ,  *半導体デバイス

分類 (3件)： 無線通信一般  (ND08010L) ,  発振回路  (NC05020Y) ,  その他の電子回路  (NC05090X)

引用文献 (36件)：

• (1) M. Tonouchi, “Cutting-edge terahertz technology,” Nat. Photonics, vol.1, pp.97-105, Feb. 2007.
• (2) T. Nagatsuma, “Terahertz technologies: Present and future,” IEICE Electron. Express, vol.8, no.14, pp.1127-1142, July 2011.
• (3) M. Hangyo, “Development and future prospects of terahertz technology,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.54, no.12, 120101, 2015.
• (4) J. Nishizawa, P. Płotka T. Kurabayashi H. Makabe, “706-GHz GaAs CW fundamental-mode TUNNETT diodes fabricated with molecular layer epitaxy,” Phys. Stat. sol., vol.5, no.9, pp.2802-2804, July 2008.
• (5) H. Eisele, “State of the art and future of electronic sources at terahertz frequencies,” Electron. Lett. ,vol.46, no.26, pp.s8-s11, Dec. 2010.\n

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体デバイス ,  テラヘルツ ,  開拓