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J-GLOBAL ID：201802244907564313   整理番号：18A0571552

電気化学的水素発生のための高いパーセントの1T相遷移金属ジカルコゲン化物ナノドットの作製【Powered by NICT】

Preparation of High-Percentage 1T-Phase Transition Metal Dichalcogenide Nanodots for Electrochemical Hydrogen Evolution

著者 (18件)： Tan Chaoliang (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Luo Zhimin (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Chaturvedi Apoorva (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Cai Yongqing (Institute of High Performance Computing, A*STAR, 1 Fusionopolis Way, Singapore, 138632, Singapore) ,  Du Yonghua (Institute of Chemical and Engineering Sciences, A*STAR, Singapore, 627833, Singapore) ,  Gong Yue (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Huang Ying (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Lai Zhuangchai (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Zhang Xiao (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Zheng Lirong (Beijing Synchrotron Radiation Facility, Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Qi Xiaoying (Singapore Institute of Manufacturing Technology, A*STAR, 71 Nanyang Drive, Singapore, 638075, Singapore) ,  Goh Min Hao (Singapore Institute of Manufacturing Technology, A*STAR, 71 Nanyang Drive, Singapore, 638075, Singapore) ,  Wang Jie (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Han Shikui (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Wu Xue-Jun (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Gu Lin (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Kloc Christian (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Zhang Hua (Center for Programmable Materials, School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201705509  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ構造遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)は,水素発生反応(HER)のための貴重な白金系触媒の可能性のある置換えに効率的でロバストな地球に豊富な電極触媒であることを証明した。しかし,報告されたTMD触媒の触媒効率はそれらの低密度活性部位,低伝導率,および/または洗浄表面によって制限される。ここでは,水に分散した,超小型サイズ,高濃度1T相,高密度活性端部位を持つ単層TMDナノドットと清浄表面の高収率,大規模生産,MoS_2,WS_2,MoSe_2,Mo_0 5W_0 5S.2,MoSSeを含む報告されている一般的で容易な方法,それらの対応するナノシートと比較してはるかに強化された電気化学的HER性能を示した。印象的なこと,得られたMoSSeナノドットは,電流密度10mA cm~ 2のTafel勾配が40mV dec~ 1の,優れた長期耐久性で 140mVの低過電圧を達成した。実験及び理論的結果はMoSSeナノドットの優れた触媒活性が,高密度活性なエッジ部位,高濃度金属1T相,合金化効果および底面Se空格子点に起因することを示唆した。本研究では,電極触媒のための十分な活性部位を持つTMDナノ構造の合成,電池,センサ及びバイオイメージングのような他の応用に使用できるに対する普遍的かつ効果的な方法を提供する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 過電圧 ,  水素発生反応 ,  活性部位 ,  ナノシート ,  白金 ,  センサ ,  電流密度 ,  *電気化学 ,  *金属 ,  セレン ,  電極触媒 ,  触媒活性
準シソーラス用語： 高密度 ,  *ナノドット ,  *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 水素発生 ,  金属1T相 ,  MoS2MoSSe ,  nanodots ,  遷移金属二カルコゲン化物

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学 ,  水素発生 ,  パーセント ,  遷移金属ジカルコゲン化物 ,  ナノドット ,  作製