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J-GLOBAL ID：201802245454083673   整理番号：18A0426079

掃引とパルスプログラミングによるTiN/Ti/HfO_2/W抵抗スイッチング素子のマルチレベル能力の研究【Powered by NICT】

Investigation of the multilevel capability of TiN/Ti/HfO₂/W resistive switching devices by sweep and pulse programming

著者 (3件)： Poblador S. (Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Spain) ,  Gonzalez M.B. (Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Spain) ,  Campabadal F. (Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Spain)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 187-188  ページ： 148-153  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスのプログラミング逐次電圧ランプと列車によるTiN/Ti/HfO_2/W RRAM素子における明確に区別できたマルチレベル状態。フィラメントコンダクタンスはSET工程中で使用される電流コンプライアンスとRESETプロセス過程で適用された最大電圧に及ぼす連続的依存性を持つことが示されている。LRSコンダクタンスは電流コンプライアンスにより決定されるが,HRSはRESETパルス振幅によって与えられる。得られた結果は,調べたデバイスは,神経形態学的回路における電子シナプス素子として用いることができることを示唆した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *計算機プログラミング ,  電流 ,  コンダクタンス ,  *スイッチング素子 ,  *パルス ,  電圧 ,  コンプライアンス
準シソーラス用語： シナプス素子 ,  ReRAM ,  *マルチレベル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： RRAM素子 ,  HfO_2 ,  マルチレベル ,  パルスプログラミング

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 掃引 ,  パルス ,  プログラミング ,  TiN ,  Ti ,  スイッチング素子 ,  マルチレベル ,  能力 ,  研究