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J-GLOBAL ID：201802245873673108   整理番号：18A0118521

GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用

Flexible Device Applications Using GaSnO Thin Films

著者 (5件)： 高木瞭 (龍谷大 理工) ,  梅田鉄馬 (奈良先端科学技術大学院大) ,  松田時宜 (龍谷大 革新的材料・プロセス研究セ) ,  上沼睦典 (奈良先端科学技術大学院大) ,  木村睦 (龍谷大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 372(EID2017 11-29)  ページ： 23-28  発行年： 2017年12月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O(a-GTO)薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた薄膜トランジスタ(TFT)と熱電変換素子を作製し評価した。TFTは室温下でRFマグネトロンスパッタ装置を用いてGTO薄膜を成膜し,TFTとして動作させることに成功した。熱電変換素子はプラスチック基板上に室温下でRFマグネトロンスパッタ装置を用いてGTO薄膜を成膜し熱電特性を評価した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *スズ酸塩 ,  *非晶質半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *RFスパッタリング ,  マグネトロンスパッタリング ,  化合物半導体 ,  フレキシブル基板 ,  部品 ,  室温 ,  *熱電素子 ,  *薄膜トランジスタ ,  薄膜成長 ,  性能指数
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  フレキシブルデバイス ,  サブ閾値スイング

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

引用文献 (9件)：

• M.Nakata, ′′Oxide Thin-Film Transistor Technology and its Application to Flexible Displays′′,IMFEDK 2016, Jun 2016.
• 薄膜材料デバイス研究会編,′′薄膜トランジスタ′′,コロナ社,2008年11月.
• 大村泰久編,′′半導体デバイス工学′′オーム社,2012年9月
• K.Nomura, et al, ′′Room-Temperature Fabrication of Transparent Flexible Thin-Film Transistors Using Amorphous Oxide Semiconductors′′, Nature, 432, pp.488-492 Nov, 2004.
• Y.Fujimoto, et al, ′′Improvement of Thermoelectric Properties of a-InGaZnO Thin Film by Optimizing Carrier Concentration′′, Journal of Electronic Materials, 45, 3, pp.1377-1381, Mar,2016

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  フレキシブルデバイス ,  応用