文献

J-GLOBAL ID：201802246207830698   整理番号：18A2242852

4H-SiC表面のフェムト秒レーザ誘起改質とNi/SiC界面での低温拡散への応用

Femtosecond-laser-induced modifications on a 4H-SiC surface and their application to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface

著者 (8件)： OKADA Tatsuya (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  TOMITA Takuro (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  UEKI Tomoyuki (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  HASHIMOTO Takuya (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  FUCHIKAMI Yuki (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  KATAYAMA Hiroyuki (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  HISAZAWA Hiromu (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  TANAKA Yasuhiro (Kagawa Univ., Takamatsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 11  ページ： 116501.1-116501.7  発行年： 2018年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フェムト秒レーザ誘起改質により増強されたNi/SiC界面での拡散を調べるために断面透過型電子顕微鏡を行った。4H-SiC結晶の表面を線に沿ってフェムト秒レーザパルスで照射し,Ni膜を堆積した。レーザ-ビーム直径に近い線間隔でSiC表面を密に照射することにより,薄い改質層を導入した。アニーリング後,NiとNi-Si合金の層間に挟まれたC層から成る,Ni/SiC界面に層状構造が形成された。Ni-ケイ化物,すなわちNi₂SiとNiSiの形成を,顕微Raman分光法によって検出した。電子エネルギー損失分光法により可視化したCの分布は,C原子が溶解SiCから放出され,Ni膜表面に向かってNi-ケイ化物層を通して拡散することを明確に示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  フェムト秒レーザ ,  パルスレーザ照射 ,  表面改質 ,  ニッケル ,  拡散 ,  低温 ,  透過型電子顕微鏡 ,  金属薄膜 ,  レーザビーム ,  焼なまし ,  層状組織 ,  ケイ化物 ,  ニッケル合金 ,  顕微Raman分光法 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  可視化
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  断面透過型電子顕微鏡 ,  アニーリング処理 ,  層状構造 ,  ケイ化ニッケル

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

引用文献 (30件)：

• H. Matsunami and T. Kimoto, Mater. Sci. Eng. R 20, 125 (1997).
• T. Kimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 040103 (2015).
• I. Ohdomari, S. Sha, H. Aochi, T. Chikyow, and S. Suzuki, J. Appl. Phys. 62, 3747 (1987).
• J. Crofton, P. G. McMullin, J. R. Williams, and M. J. Bozack, J. Appl. Phys. 77, 1317 (1995).
• Ts. Marinova, A. Kakanakova-Georgieva, V. Krastev, R. Kakanakov, M. Neshev, L. Kassamakova, O. Noblanc, C. Arnodo, S. Cassette, C. Brylinski, B. Pecz, G. Radnoczi, and Gy. Vincze, Mater. Sci. Eng. B 46, 223 (1997).

タイトルに関連する用語 (10件)： 4H-SiC ,  フェムト秒レーザ ,  誘起 ,  改質 ,  Ni ,  SiC ,  界面 ,  低温 ,  拡散 ,  応用