Inoue D. について
Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA について
Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA について
Jung D. について
Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA について
Norman J. について
Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA について
Shang C. について
Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA について
Nishiyama N. について
Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8552, Japan について
Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8552, Japan について
Gossard A. C. について
Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA について
Bowers J. E. について
Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA について
Applied Physics Letters について
ヒ化ガリウムインジウム について
量子ドット について
開口 について
フォトダイオード について
リターンツーゼロ について
リン化ガリウム について
暗電流 について
ヒ化インジウム について
帯域幅 について
貫通転位 について
大信号 について
バイアス電圧 について
シリコンウエハ について
半導体薄膜 について
その他の光伝送素子 について
GAP について
Si について
成長 について
InAs について
InGaAs について
量子ドット について
フォトダイオード について
暗電流 について