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J-GLOBAL ID：201802247210805726   整理番号：18A1675284

軸上(001)GaP/Si上に成長させたInAs/InGaAs量子ドットp-i-nフォトダイオードの低暗電流10Gbit/s動作【JST・京大機械翻訳】

Low-dark current 10 Gbit/s operation of InAs/InGaAs quantum dot p-i-n photodiode grown on on-axis (001) GaP/Si

著者 (9件)： Inoue D. (Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Wan Y. (Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Jung D. (Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Norman J. (Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Shang C. (Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Nishiyama N. (Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8552, Japan) ,  Arai S. (Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8552, Japan) ,  Gossard A. C. (Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Bowers J. E. (Institute for Energy Efficiency, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 9  ページ： 093506-093506-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 軸上(001)GaP/Si基板上に成長させたInAs/InGaAs量子ドット(QD)p-i-nフォトダイオード(PD)の10Gbit/s動作を実証した。3.0×50μm~2QD PDは-3Vのバイアス電圧で0.2nAの小さい暗電流を示し,これは0.13mA/cm2の暗電流密度に対応する。狭いストライプデバイスから得られたこの低い暗電流特性は,側壁と貫通転位が暗電流に対して小さな効果を持つことを示している。3dB帯域幅は5Vのバイアス電圧で5.5GHzであった。非リターンツーゼロ信号による大信号測定は,10Gbit/sのアイ開口を示した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子ドット ,  開口 ,  *フォトダイオード ,  リターンツーゼロ ,  *リン化ガリウム ,  *暗電流 ,  *ヒ化インジウム ,  帯域幅 ,  貫通転位
準シソーラス用語： 大信号 ,  バイアス電圧 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (8件)： GAP ,  Si ,  成長 ,  InAs ,  InGaAs ,  量子ドット ,  フォトダイオード ,  暗電流