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J-GLOBAL ID：201802247232568791   整理番号：18A0632418

Si(111)基板上GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤにおける微細構造成長

著者 (8件)： 矢野康介 (愛媛大 工) ,  高田恭兵 (愛媛大 工) ,  PATIL Pallavi (愛媛大 工) ,  下村哲 (愛媛大 工) ,  清水夕美子 (東レリサーチ) ,  長島一樹 (九大 先導研) ,  柳田剛 (九大 先導研) ,  石川史太郎 (愛媛大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-P8-10  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ヒ化ガリウム ,  素子構造 ,  *ビスマス化合物 ,  コアシェル構造 ,  *MBE成長 ,  透過型電子顕微鏡 ,  微細構造 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  化合物半導体 ,  再結合 ,  *半導体ナノワイヤ ,  ヘテロ構造
準シソーラス用語： *GaAs ,  MBE ,  TEM【顕微鏡】 ,  非発光性再結合

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  GaAs ,  GaAsBi ,  ヘテロ構造 ,  ナノワイヤ ,  微細構造 ,  成長