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J-GLOBAL ID：201802247965536090   整理番号：18A0629992

様々な情報通信エネルギー技術の動向 新デバイスの動向

著者 (1件)： 谷内利明 (東京理大 工)
資料名： 電子情報通信学会誌  (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
巻： 101  号： 4  ページ： 372-376  発行年： 2018年04月01日 
JST資料番号： F0019A  ISSN： 0913-5693  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 情報通信機器のパワーエレクトロニクス回路では,スイッチ素子としてシリコン(Si)パワーMOSFETが広く用いられてきた。SiパワーMOSFETの性能向上は,微細化プロセスによるオン抵抗の低減で行われてきたが,材料特性に伴う技術限界いわゆるSi限界に達している。Si限界を超えるデバイス実現のため,シリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いたワイドバンドギャップ半導体デバイスの開発が進められており,現在実用に供する段階に達しつつある。本稿では,この新デバイスの特性や特徴について概説する。(著者抄録)

シソーラス用語： *情報ネットワーク ,  情報システム ,  技術予測 ,  パワーエレクトロニクス ,  スイッチング素子 ,  MOSFET ,  電力トランジスタ ,  炭化ケイ素 ,  窒化ガリウム ,  技術動向 ,  *省エネルギー技術 ,  *節約
準シソーラス用語： *省エネルギー ,  *情報通信システム ,  スイッチ素子 ,  パワーMOSFET ,  シリコンカーバイド

分類 (2件)： 計算機網  (JC03000K) ,  エネルギー消費・省エネルギー  (LD01000B)

引用文献 (12件)：

• 松本寿彰,小倉常雄,小谷和也,田井裕通,竹内宏行,実践パワーエレクトロニクス入門 パワー半導体デバイス,谷内利明(編),オーム社,東京,2016.
• SiCの基礎と応用,荒井和雄,吉田貞史(編),オーム社,東京,2003.
• B.J. Baliga, ′′Power semiconductor device figure of merit for high-frequency applications,′′ IEEE Electron Device Lett., vol. 10, no. 10, pp. 455-457, 1989.
• K. Arai, ′′R & D of SiC semiconductor power devices and strategy towards their practical utilization,′′ Synthesiology, vol. 3, no. 4, pp.245-258, 2011.
• J.W. Palmour, L. Cheng, V. Pala, E.V. Brunt, D.J. Lichtenwalner, G.-Y. Wang, J. Richmond, M. O'Loughlin, S. Ryu, S.T. Allen, and A.A. Burk, ′′Silicon carbide power MOSFETs : Breakthrough performance from 900 V up to 15 KV,′′ Proc. 26th ISPSD, Hawaii, pp. 79-82, 2014.

タイトルに関連する用語 (3件)： 情報通信 ,  エネルギー ,  動向