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J-GLOBAL ID：201802249142077221   整理番号：18A0423300

マルチV_Tゲートスタックを有する高k/金属ゲートFinFET技術を用いた10nm SRAMのBTI特性とその挙動の研究【Powered by NICT】

Investigation of BTI characteristics and its behavior on 10nm SRAM with high-k/metal gate FinFET technology having multi-V_T gate stack

著者 (7件)： Jin Minjung (Foundry Business, Samsung Electronics, Gi-Heung 446-771, Republic of Korea) ,  Kim Kangjung (Foundry Business, Samsung Electronics, Gi-Heung 446-771, Republic of Korea) ,  Kim Yoohwan (Foundry Business, Samsung Electronics, Gi-Heung 446-771, Republic of Korea) ,  Shim Hyewon (Foundry Business, Samsung Electronics, Gi-Heung 446-771, Republic of Korea) ,  Kim Jinju (Foundry Business, Samsung Electronics, Gi-Heung 446-771, Republic of Korea) ,  Kim Gunrae (Foundry Business, Samsung Electronics, Gi-Heung 446-771, Republic of Korea) ,  Pae Sangwoo (Foundry Business, Samsung Electronics, Gi-Heung 446-771, Republic of Korea)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 81  ページ： 201-209  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイアス-温度不安定性(BTI)が,アナログとディジタルの両回路動作のためのキーデバイス信頼性関心事の一つである。10nm FinFETプロセス技術におけるV_T変調のための仕事関数金属(WFM)の特徴は,WFM依存B TI特性をもたらした。以前の14nm技術のそれらと類似レベル経年劣化のDCおよびAC操作の両方で観察された。BTI誘起V_T変動は3Dフィン寸法スケーリングで増加すると予想されるので,このような変動は,回路設計のための特性化と正確に考慮しなければならない。リング発振器(RO)とSRAMを研究することにより,回路のトランジスタレベルB TI劣化の影響を報告した。SNM(静的雑音マージン)およびWRM(書込みマージン)の観点からSRAMセル安定性をさらにV_minシフトを特性化することにより,SRAM HTOL応力によって研究した。500hまでのロバストな10nm SRAMと製品レベルHTOL信頼性を実証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  フィン ,  不安定性 ,  三次元 ,  回路設計 ,  キャラクタリゼーション ,  信頼性 ,  雑音 ,  リング発振器 ,  バイアス ,  *SRAM ,  仕事関数
準シソーラス用語： *FinFET ,  *メタルゲート ,  *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： FinFET ,  バイアス温度不安定性(BTI) ,  Vt変動 ,  リング発振器 ,  SRAM ,  静的ノイズマージン(SNM) ,  書込みマージン(WRM)

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： マルチ ,  ゲートスタック ,  金属ゲート ,  FinFET ,  SRAM ,  BTI ,  挙動 ,  研究