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J-GLOBAL ID:201802250458559922   整理番号:18A0630991

MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成分布

著者 (6件):
資料名:
巻: 65th  ページ: ROMBUNNO.17p-F214-12  発行年: 2018年03月05日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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