文献

J-GLOBAL ID：201802250458559922   整理番号：18A0630991

MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成分布

著者 (6件)： 塚本晟 (愛媛大 大学院) ,  伊藤瑛悟 (愛媛大 大学院) ,  檜垣興一郎 (愛媛大 大学院) ,  田中佐武郎 (愛媛大 大学院) ,  石川史太郎 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.17p-F214-12  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *量子井戸 ,  *MBE成長 ,  ガリウム化合物 ,  ビスマス化合物 ,  ヒ化物 ,  ビスマス ,  空間分布 ,  半導体薄膜 ,  蛍光体 ,  深さプロフィル ,  エネルギー分散X線分光分析
準シソーラス用語： 組成分布

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE成長 ,  GaAs ,  GaAsBi ,  量子井戸 ,  Bi ,  組成分布