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J-GLOBAL ID：201802250754346869   整理番号：18A1990254

4H-SiC表面上の酸素関連欠陥の第一原理研究:表面非晶質構造の効果【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of oxygen-related defects on 4H-SiC surface: The effects of surface amorphous structure

著者 (4件)： Matsushita Yu-ichiro (Department of Applied Physics, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Furukawa Yoritaka (Department of Applied Physics, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Hijikata Yasuto (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan) ,  Ohshima Takeshi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, Gunma 370-1292, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 464  ページ： 451-454  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCバルクおよび4H-SiC表面上の酸素関連欠陥の電子状態を明らかにする第一原理計算と,それらが酸化による表面非晶質構造によってどのように影響されるかを報告した。熱的に酸化された4H-SiCはその表面上に大量の単一光子源(表面SPS)を含み,それらの発光波長は分散していることが実験的に報告されている。しかし,微視的機構はまだ明らかにされていない。本研究では,表面上の酸素関連欠陥のエネルギー準位が,非晶質表面の局所原子構造により敏感に変化し,波長の変化をもたらすことを実証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  発光 ,  波長 ,  計算 ,  エネルギー準位 ,  原子構造 ,  電子状態 ,  *非晶質 ,  *第一原理
準シソーラス用語： 単一光子源 ,  第一原理計算 ,  *非晶質構造 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： SiC表面 ,  アモルファス ,  単一光子源

分類 (4件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  酸素 ,  欠陥 ,  第一原理 ,  研究 ,  非晶質構造